分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
分别应用光致发光、电容－电压和深能级瞬态傅里叶谱技术说细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为。光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理。两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据。电容－电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度（样品表面下约100nm处）大约是ZnSe量子点层的位置。深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV，这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致。 分别应用光致发光、电容－电压和深能级瞬态傅里叶谱技术说细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为。光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理。两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据。电容－电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度（样品表面下约100nm处）大约是ZnSe量子点层的位置。深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV，这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:41导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4995.pdf: 375785 bytes, checksum: e67ead0b2b0a520b8e95d464ac4fcae2 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学（批准号：HKUST6135/97P）资助的课题 中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系 国家自然科学基金（批准号：6 76 8）,国家重点基础研究发展项目（批准号：G2 683）,香港科技大学（批准号：HKUST6135/97P）资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卢励吾;王占国;Yang C L;Wang J;Ma Z H;Sou I K;Ge Weikun.分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究,物理学报,2002,51(2):310-314 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
