GSMBE生长的高质量氮化镓材料
| Data(s) |
2000
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|---|---|
| Resumo |
使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。 使用NH_3作氮源，采用GSMBE方法在(0001)Al_2O_3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜。1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6'，室温电子迁移率为300cm~2(V·s),背景电子浓度约为3×10~(17)cm~(-3)。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:44导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5437.pdf: 249938 bytes, checksum: 430b39383d1dfae80ba29cabff39f007 (MD5) Previous issue date: 2000 中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙殿照;王晓亮;王军喜;刘宏新;刘成海;曾一平;李晋闽;侯洵;林兰英.GSMBE生长的高质量氮化镓材料,半导体学报,2000,21(7):723 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
