薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
| Data(s) |
2001
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|---|---|
| Resumo |
采用高频C-V曲线方法，研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程。二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10~3Gy(Si)剂量下近乎相同，而在大于3×10~3Gy(Si)_剂量下，50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍。利用电离辐射后的隧道退火效应，计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO_2界面附近分布的距离均约为4nm。 采用高频C-V曲线方法，研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程。二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10~3Gy(Si)剂量下近乎相同，而在大于3×10~3Gy(Si)_剂量下，50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍。利用电离辐射后的隧道退火效应，计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SiO_2界面附近分布的距离均约为4nm。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:10:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5376.pdf: 282518 bytes, checksum: fc48041b8fd04baea8a59bf79256330b (MD5) Previous issue date: 2001 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘忠立.薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究,半导体学报,2001,22(7):904 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
