1994-2006年《水土保持研究》载文被引定量分析

利用中国知识资源总库的中国引文数据库检索《水土保持研究》在1994-2006年所载论文的被引用情况,采用文献计量学方法对该刊1994-2006年载文被《中国期刊文献引证数据库》来源期刊引用的情况进行统计分析及评价。从文献引证的角度透视《水土保持研究》的学术水平。该刊1994-2006年共载文2098篇,被引用2018篇,占载文总数的96.62%。2001-2006年该刊影响因子、即年指标等文献计量指标逐年上升,分析表明:《水土保持研究》载文质量较高,在该学科有较大的学术影响力。

功能化聚喳琳的合成与性质

为了合成功能化聚哇琳（如质子传导聚喳琳或旋光性聚唆琳）和研究聚哇琳结构与性能之间的关系，合成了含毗咯基单元或含联蔡基单元的聚喳琳和聚葱琳，并对其性质进行了研究，主要内容如下：（1）建立了二乙酰吡咯的合成方法；合成并表征了四种二苯酞基一二氨基单体和五种新型的含毗咯基或联蔡基的二乙酞基单体；并对部分合成方法进行了改进，简化了实验步骤，提高了产率。（2）合成、表征了8种含吡咯基单元的聚喳琳和聚葱琳，这些新的聚合物具有较高的玻璃化转变温度（242-339℃）和出色的热稳定性（514-554℃）。与聚葱琳系列相比，聚哇琳具有较高的热稳定性，在普通溶剂中较好的溶解性和较低的最大吸收波长（λamax）。含有2，5-亚吡咯基的固态聚葱琳表现出少见的高人arnax（565nln）和低的带隙能量（2.02eV）。所有的聚合物在溶液中具有很低的光量子效率（0.01％一10-5％）。它们的激发态寿命为0.28-1.29ns。通过比较聚合物异构体的性质，探讨了分子结构，尤其亚吡咯基结构对聚合物电子结构、热力学和光学性质的影响，提出了聚合物主链上毗咯氢和喳琳氮间的氢键模型并对聚合物异构体性质差异给予解释。（3）考察了聚喳琳的电化学性质，结果表明这些聚合物存在1-3个不可逆氧化电位和1-2个不可逆还原电位，这是聚哇琳文献中未曾报道的现象。（4）以氯化锉作稳定剂，DMAc作溶剂，得到稳定的PBM高浓度溶液；以此溶液浇铸成膜，其热力学性能优良；经磷酸乙醇溶液浸渍掺杂的PBM膜，在157℃质子导电率达到1.5x*10-3Scm-1。（5）合成、表征了含联蔡基团的旋光性聚喳琳，这些新的聚合物具有较高的玻璃化转变温度（201-305℃）、出色的热稳定性（420-497℃）和耐溶剂性能。创门的结晶度较低，在浓硫酸中的旋光活性远大于联蔡单体，其旋光值与聚合物手性单元的过量比例成线性关系，但旋光方向却与单体不同。

稀土元素乙醇-水溶液感耦等离子体发射光谱的一些基本过程及应用的研究

本论文由三部分组成。第一部分是文献综述。首先从检出限、基体效应、光谱干扰及其校正、实际应用四个方面介绍了ICP-AES用于稀土元素分析的研究概况。然后，较全面深入地评述了有机试液的ICP-AES光谱分析技术的研究进展，讨论了有机溶剂对ICP放电稳定性的影响及提高稳定性的途径，有机试剂对背影和分析元素谱线强度的影响及其原因，比较了“有机ICP”和“水溶液ICP”的分析化学特性，详细地介绍了ICP-AES在各种有机试液直接分析中的应用。第二部分是稀土元素的ICP-AES分析的研究。首先测定了十五种稀土元素192条灵敏线的ICP-AES摄谱法的检出限和工作曲线线性范围。然后重点进行了乙醇溶剂的预去溶研究，即把预去溶进样的特点和乙醇的较高挥发性结合起来借以提高玻璃同心雾化器的进样效率，合稀土元素谱线速度显著增大，检出限改善5-12倍；同时研究了进样效率提高的机理以及去溶装置的去溶效率，发现残余乙醇进入ICP对谱线强度有抑制作用。详细地研究了由于乙醇导入ICP而产生的CN带对稀土元素灵敏线的干扰及CN带强率与ICP工作条件的关系，指出适当增加炸管的外管长度可以十分有效地抑制CN带。最后以纯Y_2O_3的ICP-AES分析为例，研究了基体对分析元素谱线强度的影响及基体效应的产生机理，提出用外加内标法代替通常的基体匹配法来克服基体效应，分析方法用于纯Y_2O_3中十四个稀土杂质的测定，获得较为满意的结果。第三部分是乙醇导入时ICP激发特性的研究，主要包括以下内容。（1）观察了乙醇对谱线强度的影响及这些影响与元素电离电位和谱线激发电位的关系，发现随乙醇浓度增大，经溶液进炬速率校正以后的“硬线”强度单调减小，而“软线”强度则出现极小值，以此结果为基础确定了某些未分类稀土元素光谱线的电离态并估测了它们的激发电位。（2）详细地研究了乙醇对ICP激发温度、气体温度、电子数密度以及易电离元素基体效应的影响，讨论了乙醇导入时分析元素在ICP中的电离过程的变化及“有机ICP”的热平衡特性。（3）研究了乙醇对ICP能量输适的影响，发现随乙醇浓度增大，等离子体电流减小，导致等离子体短体积增大（即“有机ICP”的扩张效应），可能使分析物在等离子体中的往向扩散得到增强。最后列出了305篇参考文献。全文共有图66个、表33个。

INFLUENCE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION CORE STRUCTURE IN SILICON ON ENERGY-LEVELS

An LCAO-scheme taking into account 10 atomic orbitals (s-, p-, and d-type) is used to calculate the electronic structure of the reconstructed 90-degrees partial dislocation in Si. Two different valence force fields producing deviating results are used for modelling the core structure. Geometrical data published by another group is also used. The aim is to explore the influence of geometry on energy levels. We find that the band structure depends sensitively on bond angles. Using data determined by the Tersoff potential we obtain two bands of which the upper one penetrates deeply into the indirect band gap while the geometry minimizing the simple Keating potential leaves the gap completely clear of dislocation states. Thus, from a theoretical point of view, the chief difficulty in calculating the electronic structure of the reconstructed 90-degrees partial is the lack of accurate structural information.

HYDROGEN DIFFUSION IN A-SI-H/A-SI STRUCTURE UNDER ELECTRICAL BIAS

By using the technique of elastic recoil detection (ERD), we have measured the hydrogen profiles in a-Si:H/a-Si structure samples annealed at various temperatures with and without electrical bias, and investigated the influence of electrical bias on hydrogen diffusion. The results show that hydrogen diffusion in a-Si is significantly enhanced by the action of electrical bias. The existence of the excess carriers, which are introduced by electrical injection, is considered to be responsible for the enhancement of hydrogen diffusion, and the microprocess of hydrogen transport has been exploited.

用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷

利用正电子寿命谱和多普勒展宽谱技术研究了原生ZnO的缺陷结构及其退火效应. 经900 ℃退火之后,正电子寿命实验显示样品中的空位型缺陷基本被消除,其体寿命为180 ps.通过比较原生和退火样品的符合多普勒展宽谱的商谱曲线,两者有相似的峰型,结合寿命谱的相关数据表明原生ZnO中不存在H原子填充Zn空位.

高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器

研究了Al0.1-Ga0.9N／GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能,P区采用Al组分含量为0．1的AlGaN外延材料形成窗口层，使340-365nm波段的紫外光可以直接透过P区到达i区并被吸收，有效提高了这个波段的响应率与量子效率,并且研究了不同P区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响，制备了两种不同P区厚度（0．1μm和0．15μm）的器件，测试结果表明，P区的厚度对200-340nm波段光吸收的量子效率影响较大，而i区的晶体质量的提高可以有效提高340-365nm波段光吸收的量子效率,并且当P区AlGaN厚度为0．15μm时，器件的峰值响应率达到0．214A／W，在考虑表面反射时外量子效率高达85．6％，接近理论极限，并且在零偏压时暗电流密度为3．16nA／cm^2,表明器件具有非常高的信噪比。

InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究

利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.

倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵

报道了一种可用于并行光传输系统的64 * 64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型（RCE），吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成，谐振腔是由2组多层布拉格反射镜组成，工作波长位于980 nm。该器件利用倒装焊技术，将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起，形成具备64 * 64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件，并对光探测器面阵的主要特性进行了测试，测试结构显示该面阵具有均匀的电特性，反向偏压均大于14 V，暗电流约为10 nA数量级。