InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究
| Data(s) |
2004
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|---|---|
| Resumo |
利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法. 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:34导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4766.pdf: 381792 bytes, checksum: 668034310aa6b99e71dffbb70436ba64 (MD5) Previous issue date: 2004 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目 中国科学院半导体研究所;兰州大学物理科学与技术学院 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
朱天伟;徐波;何军;赵凤瑷;张春玲;谢二庆;刘峰奇;王占国.InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究,物理学报,2004,53(1):301-305 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
