中国都江堰汉族人群IIS信号通路基因的遗传变异与长寿的相关性研究

随着人口老龄化的发展，对衰老和长寿的研究越来越受到关注。科学家们希望找到衰老相关疾病的致病机理以及治疗手段，从而降低这些疾病的发病风险，减少社会和经济负担。长寿老人受衰老相关疾病的困扰相对较少，自然成为研究的热点人群。而由于长寿的遗传力相对较高，关于长寿的遗传学研究也成为这个领域的热点之一。作为在从无脊椎动物到脊椎动物中一条非常保守的信号通路，胰岛素/胰岛素样生长因子1（IIS）信号通路是一条与生长发育代谢密切相关的信号通路。同时，在模式生物的研究中发现，减弱这条信号通路会导致模式生物寿命的延长。而在人类群体的相关性研究中，这条通路上一些基因的遗传变异位点与长寿、血清胰岛素样生长因子1（IGF1）水平以及一些衰老相关疾病如糖尿病、癌症和心脑血管疾病相关。为了探讨IIS信号通路上一些基因的遗传变异与长寿的关系，本研究在中国四川省都江堰市招募了共493名无相互关系的长寿老人，其中男性252人，年龄均大于90岁，女性241人，年龄均大于94岁。同时，在该地区招募了442名年轻的对照个体，年龄在22岁到73岁之间。我们对IIS信号通路上的一些基因的遗传变异位点利用测序，片段分析，RFLP等方法进行了扫描。包括（1）IGF1基因启动子区域及内含子1中的一个微卫星位点；（2）IGF1R基因外显子序列中的4个变异位点，包括3个SNP和一个2碱基缺失位点；（3）FOXO3A基因内含子1中的3个SNP位点。本研究发现，在该人群中，IGF1基因启动子区域的遗传变异与长寿没有相关性，但携带该区域中的微卫星位点18/21基因型的男性个体在长寿群体中所占比例高于在对照群体中所占的比例(11.11 vs. 5.45%, p=0.011)。虽然经过多重检验校正后显著性消失了，但考虑到这个位点曾被报道与多种衰老相关疾病相关，因此，这个位点不是影响长寿的潜在功能位点，但有可能与真正的潜在功能位点相连锁，这一观点有待进一步研究的验证。本研究并没有发现IGF1R基因外显子序列中的遗传变异与长寿存在相关性。同时，研究结果支持FOXO3A基因的遗传变异与长寿相关，这样，继日籍美国人，德国人，意大利人群体后，在中国汉族人群中也证实了这一结果。同时，在FOXO3A基因上的一个未报道过的单核苷酸多态性（SNP）位点（109080595）在本研究中被发现，携带这个基因突变纯和基因型的个体仅在长寿人群中出现（8/492 vs. 0/414, 基因型分布差异p值为0.011）。关于FOXO3A基因的功能以及新发现位点在其他群体中的基因型分布情况值得进一步深入研究。综上所述，本研究第一次在中国汉族人群中对IIS信号通路的一些基因的遗传变异与长寿的相关性进行了探讨，更多群体及更大样本量的研究有助于加深对长寿遗传机制的认识。

4-W single transverse mode Yb3+-doped fiber laser pumped by 915-nm laser diode array

A cladding-pumped ytterbium-doped fiber laser is described in this letter. Using unusual pumping source with 915-nm wavelength, slope efficiency up to 75% with respect to absorbed input power and output power is obtained, a maximum output power of 4.006 W with fundamental mode is measured.

Ge/Si量子点的生长研究进展

要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析.

立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性

通过TEM截面像和平面像的观察，对于用低压金属有机化合物气相外延（LP-MOVPE）法在GaAs（001）衬底上制备的立方相GaN外延层中的缺陷结构进行了观察和分析。结果表明，在立方GaN/GaAs（001）外延层中存在很高密度的堆垛层错，层错密度及其宽度在相互垂直的（110）方向上有明显的差异，闪锌矿结构中α位错与β位错间的差异可能是层错出现非对称性的原因。

氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究

报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果。利用镍、甸及其化合物等做催化剂，将金属镓放置在氨气中1000 ℃左右进行反应，结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须，及纳米线。许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的梯子状的形貌。研究还发现，大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向（c轴方向）。X射线衍射谱揭示，反应产物为非常纯的氮化镓晶体，而低温光致发光谱分析则发现，氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰。这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理，并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件。

MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

于2010-11-23批量导入

Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials

A series of systematic experiments on the growth of high quality GaNAs strained layers on GaAs (001) substrate have been carried out by using DC active Nz plasma, assisted molecular beam epitaxy. The samples of GaNAs between 3 and 200 nm thick were evaluated by double crystal X-ray diffraction (XRD) and photoluminescence (PL) measurements. PL and XRD measurements for these samples are in good agreement. Some material growth and structure parameters affecting the properties of GaNAs/GaAs heterostructure were studied; they were: (1) growth temperature of GaNAs epilayer; (2) electrical current of active N-2 plasma; (3) Nz flow rate; (4) GaNAs growth rate; (5) the thickness of GaNAs strained layer. XRD and PL measurements showed that superlattice with distinct satellite peaks up to two orders and quantum well structure with intensity at 22 meV Fourier transform infrared spectroscopy (FWHM) can be achieved in molecular beam epitaxy (MBE) system. (C) 2000 Published by Elsevier Science S.A. All rights reserved.

应用负载型纳米铁去除饮用水中砷的研究

砷是毒性最强的元素之一，水体中砷的污染己经引起人们广泛的关注。我国的新疆、内蒙、山西和台湾等省和地区地下水砷含量严重超标。全球共有5,000多万人遭受高砷饮用水的威胁，其中中国有1,500多万，是饮用水砷污染最严重的国家之一。WHO推荐饮用水砷的最高允许浓度从原来的50 µg•L-1已降至10 µg•L-1。更为严格的砷卫生标准的颁布，对作为饮用水源的地下水中的砷去除工艺提出了更高的要求。吸附法除砷比膜法、混凝法和离子交换法更安全、简便，是砷去除工艺中最有效的方法之一。 首先，本研究通过优化制备条件（包括炭种类的选择、炭的粒径大小、还原剂的浓度及滴定速率、反应温度、铁盐的种类及浓度、分散剂的比例及浓度），制备了负载型纳米铁。考虑到砷的去除效率、工程应用的可行性以及经济性，最优的制备条件如下：选用粒径为20~40目煤质炭，在室温、一定的分散剂比例及浓度，0.2 M KBH4滴速为20 d•min-1时所制备的Fe/炭为82.0 mg•g-1；纳米铁在活性炭孔内呈针状，其直径为30~500 nm，长度为1,000~2,000 nm。绝大多数的铁都负载到活性炭内部，这在处理水时铁不流失很重要。 其次，利用制备的负载型纳米铁作吸附载体，进行了饮用水中As(Ⅴ)的吸附去除实验。研究了该吸附剂对As(Ⅴ)的吸附等温线、动力学以及影响动力学的各种因素（包括As(Ⅴ)的不同初始浓度、吸附剂用量、pH值、共存离子和不同温度）、pH值、共存离子等环境条件对As(Ⅴ)去除的影响；以及吸附剂的再生及再生后的吸附效率等。研究发现在前12 h内吸附较快，72 h时达到了平衡。用Langmuir 吸附等温式估算出As(Ⅴ)的吸附量为12.0 mg•g-1。该吸附剂在pH 6.5， (25±2)℃， As(Ⅴ)初始浓度为2 mg•L-1，吸附剂用量为1.0 g•L-1时，As(Ⅴ)的去除率为75.2%；当把吸附剂的用量增加到1.5 g•L-1时，As(Ⅴ)的去除率可达99.9%以上。吸附剂可以用0.1M的NaOH浸泡12 h后即可再生，再生效率较高。常见的阴离子中PO43-、SiO32-对As(Ⅲ)的去除抑制较大，而SO42-、CO32-、C2O42-等离子对砷的去除影响较小。Fe2+对As(Ⅲ)的吸附抑制作用较大而其它阳离子影响不大。吸附剂可用0.1 M NaOH 有效再生，并且具有良好的机械性能。实验室初步实验数据表明，该吸附剂对饮用水除砷具有较好的应用前景。 第三，利用实验室制备的负载型纳米铁对饮用水中As(Ⅲ)的吸附去除也进行了研究。考察了吸附等温线、动力学以及影响动力学的各种因素、pH值、共存离子等环境条件对As(Ⅲ)去除的影响；以及吸附剂的再生及再生后的吸附效率等。研究发现，该吸附剂在pH 6.5， (25±2)℃， As(Ⅲ)初始浓度为2 mg•L-1，吸附剂用量为1.0 g•L-1时， 对As(Ⅲ)的去除率为99.8%；其吸附容量为1.996mg•g-1。吸附过程中部分As(Ⅲ)被氧化。与As(Ⅴ)的吸附相比，该吸附剂对As(Ⅲ)的效率比较高-而常见的其它除砷吸附剂如载铁纤维棉等，对As(Ⅴ)的效率比As(Ⅲ)高，为有效去除As(Ⅲ)，常常需要专门加上氧化这一过程。 最后，利用负载型纳米铁对饮用水中As(Ⅲ) 的氧化性能进行考察，发现该吸附剂不但能够有效吸附去除饮用水中的砷，而且还能把As(Ⅲ)有效地氧化为As(Ⅴ)。经过对吸附剂的构成组分分析发现，活性炭表面因富含多种官能团而对三价砷的氧化作用最大；其次是纳米铁也能把As(Ⅲ)氧化为As(Ⅴ)。