Ge/Si量子点的生长研究进展
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析. 要有效应用SK模式生长的Ge量子点,必须实现Ge量子点的位置可控并且进一步缩小Ge量子点的尺寸.阐释了这方面的研究进展,特别对图形衬底生长Ge量子点,利用Si表面的自组织性在错切割的邻晶面衬底上生长有序Ge岛,表面杂质诱导成岛这三个方面的进展加以介绍分析. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:35导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4770.pdf: 280666 bytes, checksum: bf99506af7e9657f0ca4b93618fb3de4 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学重点基金资助项目,国家重大基础研究规划(973)资助项目,国家自然科学基金重大基础研究计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家自然科学重点基金资助项目,国家重大基础研究规划(973)资助项目,国家自然科学基金重大基础研究计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
时文华;李传波;王启明.Ge/Si量子点的生长研究进展,半导体光电,2004,25(4):247-252 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
