氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
报道了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓微米晶须及纳米线的最新结果。利用镍、甸及其化合物等做催化剂，将金属镓放置在氨气中1000 ℃左右进行反应，结果在衬底上获得了大量的氮化镓微米晶须，及纳米线。许多晶须还通过自组装形成了非常奇特的梯子状的形貌。研究还发现，大部分氮化镓微米晶须的择优生长方向为<0001>方向（c轴方向）。X射线衍射谱揭示，反应产物为非常纯的氮化镓晶体，而低温光致发光谱分析则发现，氮化镓微米晶须在520 nm处有一个杂质发光峰。这一研究结果有助于了解氮化镓晶体的生长机理，并可望应用于微米、纳米蓝光发光二极管等器件。 国家杰出青年科学基金（5 252 6）资助项目,国家自然科学基金（19834 8 ） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周江峰;王建朝;李昌义;潘华勇;冯孙齐;俞大鹏.氮化镓微米晶须及纳米线的制备与研究,材料科学与工艺,2002,10(1):11-13 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
