稀土元素的价态及半径对LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构、超导电性及某些性质的影响

本文系统地研究了稀土元素的价态，半径对LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构、超导电性、某些性质的影响，分以下几个方面。1、LnBa_2Cu_3O_(7-δ)化合物的结构和某些性质（如氧含量、Cu~(3+)/Cu~(2+)之比值，晶胞参数、正交畸变等）均随三价稀土离子半径呈现规律性的变化。2、研究了YbBa_2Cu_3O_(7-δ)的合成机理，提出了不同于YBa_2Cu_3O_(7-δ)的反应机理；研究了Ln对(YbLn)Ba_2Cu_3O_(7-δ)结构和性质的影响。3、分析了LnBa_2Cu_3O_(7-δ) (Ln = Pr、Y)的XPS图谱，讨论了影响PrBa_2Cu_3O_(7-δ)超导性的原因。4、研究了Ln对(PrLn)Ba_2Cu_3O_(7-δ)的结构及超导电性的影响，讨论了Cu-O链，Cu-O层，Cu~(3+)对超导性的贡献。5、研究了稀土取代Bi（部分）对Bi-Sr-Ca-Cu-O结构及超导性的影响，稀土取代只有低Tc相生成，少量稀土取代Bi可得-80k的超导电性。

X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis

ErSi1.7 layers with high crystalline quality (chi(min) of Er is 1.5%) have been formed by 90 keV Er ion implantation to a dose of 1.6X10(17)/cm(2) at 450 degrees C using channeled implantation. The perpendicular and parallel elastic strain e(perpendicular to)=-0.94%+/-0.02% and e(parallel to)=1.24%+/-0.08% of the heteroepitaxial erbium silicide layers have been measured with symmetric and asymmetric x-ray reflections using a double-crystal x-ray diffractometer. The deduced tetragonal distortion e(T(XRD))=e(parallel to)-e(perpendicular to)=2.18%+/-0.10%, which is consistent with the value e(T(RBS))2.14+/-0.17% deduced from the Rutherford backscattering and channeling measurements. The quasipseudomorphic growth of the epilayer and the stiffness along a and c axes of the epilayer deduced from the x-ray diffraction are discussed.

7.8μm二级分布反馈量子级联激光器

报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5kHz频率的工作条件下,在93～173K的温度范围内,单模发射光谱边模抑制比均超过20dB,调谐系数dλ/dT=0.5125nm/K.在93K时,峰值功率为30mW,直到153K时,峰值光功率仍达到12mW.

CeO2/Si薄膜的紫／蓝光跃迁

利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜，观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象．利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明，Ce02的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果，并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1eV的范围内．

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果。测试了它的光电流谱和量子效率。探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段。在1.3μm处量子效率为0.1%。量子效率峰值在0.95μm处达到20%。

GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱的平方电光效应和光折变效应的研究

于2010-11-23批量导入

50周期的In（0.3）Ga（0.7）As/GaAs应变超晶格的生长

于2010-11-23批量导入

（113）B-GaAs/As（0.3）Ga（0.7）As单量子阱结构的光致发光谱研究

于2010-11-23批量导入

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

GaAs/Al（0.3）Ga（0.7）As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

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High-field nonlinear perpendicular transport in a GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7) As short-period superlattice

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1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca（0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。

高迁移率Si/Si（0.7）Ge（0.3）/Si调帛掺杂异质结构的生长和输运性质

863计划,国家攀登计划

GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）超晶格中场致激子峰展宽机制的研究

于2010-11-23批量导入