1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca（0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
| Data(s) |
1994
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| Resumo |
用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。 省市基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李岱青;宫宝安;万亚;朱沛然;周俊思;徐天冰;穆善明;赵清太;王忠烈.1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca（0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究,物理学报,1994,43(8):1311 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
