CeO2/Si薄膜的紫／蓝光跃迁
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜，观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象．利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明，Ce02的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果，并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1eV的范围内． 国家重点基础研究发展规划（批准号：G2 365 5）,国家自然科学基金（批准号：6 2 6 7）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
柴春林;杨少延;刘志凯;廖梅勇;陈诺夫.CeO2/Si薄膜的紫／蓝光跃迁,科学通报,2003,48(8):780-782 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
