高迁移率Si/Si(0.7)Ge(0.3)/Si调帛掺杂异质结构的生长和输运性质


Autoria(s): 若琏; 刘建林; 郑有Dou; 李海峰
Data(s)

1994

Resumo

863计划,国家攀登计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20021

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104648

Idioma(s)

中文

Fonte

若琏;刘建林;郑有Dou;李海峰.高迁移率Si/Si(0.7)Ge(0.3)/Si调帛掺杂异质结构的生长和输运性质,半导体学报,1994,15(7):501

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文