基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制

本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.

SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究

采用倾斜3.4°抛光SOI波导端面和在波导端面镀TiO2减反膜的方法,使SOI基动态可调光学衰减器的插入损耗减小了1.6 dB,而且回波损耗由8 dB提高至57 dB,解决了SOI波导器件回波严重这一实用化过程中的关键问题.利用上述方法研制出了完整封装的SOI基可变光学衰减器样品.

MBE Growth of High Electron Mobility InP Epilayers

The molecular beam epitaxial growth of high quality epilayers on （100） InP substrate using a valve phosphorous cracker cell over a wide range of P/In BEP ratio （2.0-7.0） and growth rate （0.437 and 0. 791μm/h）. Experimental results show that electrical properties exhibit a pronounced dependence on growth parameters,which are growth rate, P/In BEP ratio, cracker zone temperature, and growth temperature. The parameters have been optimized carefully via the results of Hall measurements. For a typical sample, 77K electron mobility of 4.57 × 10^4 cm^2/（V · s） and electron concentration of 1.55×10^15 cm^-3 have been achieved with an epilayer thickness of 2.35μm at a growth temperature of 370℃ by using a cracking zone temperature of 850℃.

ZnS1-xTex混晶的压力光谱

研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。

纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进

自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后，Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程。人们从中认请了一些重要的科学问题，发展和掌握了许多新的技术，也取得了许多有价值的重要进展。可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段。现在夫论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径，都更加明确、集中，一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临。本文着重评述介绍了四个方面的研究进展，即局域态nc-Si的发光，基於能带工程的Si基发光，纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究，指出了各自存在的问题，提出了若干新的研究思路。本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合，由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则。

Simulation and fabrication of thermo-optic variable optical attenuators based on multimode interference coupler

A type of thermo-optic variable optical attenuator based on multimode interference coupler is proposed. The optical field propagation properties of the devices are simulated using finite difference beam propagation method. The propagation loss of the fabricated device is 2-4.2 dB at the wavelength range 1510-1610 nm. The total power consumption is 370 mW and the maximum attenuation is more than 25 dB, which almost can meet the requirements of optical fiber communication systems.

远紫外辐射对紫杉幼苗针叶膜脂过氧化及内源保护系统的影响

为了探讨远紫外辐射对植物的损伤机理和紫杉的濒杉机制，本文就远紫外辐射对紫杉幼苗针叶膜脂过氧化及内源保护物质的影响进行了模拟研究，初步得到如下结果：UV-C 辐射紫杉针叶离体叶绿体可使膜脂过氧化产物丙二醛（MDA）含量增加，类胡萝卜素含量和光系统II（PS II）电子传递少性下降。UV-BC 辐射紫杉幼苗针叶可使叶绿体超氧离子自由基（O~-_2)，单线态氧（~O_2)，针叶有机自由基产额和H_2O_2含量有不同程度增加。针叶MDA，组织自动氧化速率及质膜相对透性也随辐射时间进程面增加。UV-BC处理初期超氧化物歧化酶（SOD），过氧化氢酶（CAT）活性及谷胱甘肽（GSH）含量均被诱导增高，21d后SOD活性开始下降，而GSH 含量和CAT活性始终高于对照。维生素C（ASA），类胡萝卜素（Car)，叶绿素（chl），PS II 电子传递活性在处理期间始终呈下降趋势，其中ASA下降最明显。可溶性蛋白21d前变化不大，之后开始下降。外源活性氧清除剂苯甲酸钠和抗坏血酸对针叶膜脂过氧化有抑制作用；甲基紫精和DDC 对针叶膜脂过氧化有促进效果。根据上述结果推测，紫杉的UV-BC伤害可能是由于活性氧产生过剩和清除系统水平下降，而引起的膜脂过氧化损伤。