ZnS1-xTex混晶的压力光谱
| Data(s) |
2003
|
|---|---|
| Resumo |
研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。 研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱。每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰，来源于束缚在Ten(n≥2）等电子陷陆上的激子复合发光，且随压力（0．7GPa）而蓝移、发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小，随着Te组分的增加而减小，与混晶带隙压力系数的差别也越来越大。由于压力下与发光峰对应的吸引能量逐渐接近并超过激发光的能量，与发光峰有关的吸收效率降低，发光峰积分强度随着压力增加而减小。据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移。发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:07:16导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4901.pdf: 451852 bytes, checksum: 15379ac2f0fa4d9e2cab15f1cbd924ec (MD5) Previous issue date: 2003 中国科学院半导体研究所;香港科技大学物理系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方再利;葛惟锟;苏付海;马宝珊;刘南竹;朱作明;丁琨;韩和相;李国华;葛惟锟;苏萌强.ZnS1-xTex混晶的压力光谱,半导体学报,2003,24(4):370-376 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
