基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
| Data(s) |
2007
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| Resumo |
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力. 国家杰出青年基金(No.599252 5),上海市政府国家照明工程计划(No. 5d211 6-3) |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙佳胤;陈静;王曦;王建峰;刘卫;朱建军;杨辉.基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制,功能材料与器件学报,2007,13(4):367-370 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
