掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.

空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。

高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究

国家自然科学基金

离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μ、1.570μm、1.598μ和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强。结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于T_d对称中心的填隙铒Er~(3+)离子。在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心，其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm。

用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构

于2010-11-23批量导入

东北农田生态系统排放CH_4和N_2O的研究

本文首次对我国东北地区稻田和旱田（大豆田）中甲烷（CH_4）和氧化亚氮(N_2O)的排放通量进行观测,研究了环境因素对这两种温室效应气体排放的影响。观测结果表明：稻田在作物生长季节是CH_4的排放源(source)，作物被收割之后则成为甲烷的汇(sink)。在作物生长季，稻田的CH_4排放通量变化在2.41-26.1mgCH_4/m~2·h之间，平均通量为14.82mgCH_4/m~2·h。稻田N_2O通量在-116.89-100.69μgN_2O/m~2·h间变化，平均通量为-6.36 μg/m~2·h。旱田完全是N_2O的排放源，通量在3.99-332.3 μg N_2O/m~2·h之间变化，平均通量是88.54 μgN_2O/m~2·h。旱田主要表现为甲烷的汇。稻田中甲烷主要在0-5cm土层中产生。水稻和大豆分别对CH_4和N_2O的排放起着重要作用。稻田甲烷排放通量与温度(特别是气温)有极显著的正相关性，也与土壤中硝态氮含量呈显著正相关／旱田甲烷排放通量与土壤中铵态氮浓度呈显著负相关，而N_2O通量则与铵态氮浓度呈正相关，但有3-4天的时间滞后现象。旱田甲烷和氧化亚氮的排放受土壤含水量的影响。本文还讨论了实验室条件下施肥对稻田土壤CH_4产生作用的影响。厩肥的施入影响较弱，而稻杆的影响则十分强烈。尿素也促进CH_4的产生。100和200μg/g(土)的尿素加入量增大了产甲烷速率和甲烷产量；300μg/g(土)的尿素加入量没有增大产甲烷速率，却延长产甲烷时间，使甲烷产量增加更多。土壤中CH_4和N_2O的产生过程之间似乎呈相互消长关系。