离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究

详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μ、1.570μm、1.598μ和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强。结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于T_d对称中心的填隙铒Er~(3+)离子。在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心，其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm。