用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构
Data(s) |
1990
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Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6327.pdf: 1355604 bytes, checksum: abb888db4c0d0e22c3ffab4b978aebaa (MD5) Previous issue date: 1990 中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
程美乔;傅绍云;李建中.用SF6—N2混合气的反应离子刻蚀制作WSix微米结构,半导体学报,1990,11(5):355 |
Palavras-Chave | #微电子学 |
Tipo |
期刊论文 |