空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
| Data(s) |
2000
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| Resumo |
在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。 在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有10nm的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:41导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5266.pdf: 229772 bytes, checksum: 856f1c3d406574e98e5e2afa12e7a810 (MD5) Previous issue date: 2000 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李韫言;蔚燕华;李成基.空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察,功能材料与器件学报,2000,6(4):332 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
