108 resultados para Inf-convolution
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Glasses with compositions 50Bi
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制备了化学稳定的Er^3+/Yb^3+共掺的磷酸盐玻璃,并在其中制作了用于光放大器和激光器的平面光波导.这种磷酸盐玻璃的失重速率为4.7×10^-5g·cm^-2·hr^-1,小于Kigre公司商业化的磷酸盐玻璃QX/Er的失重速率.采用Ag^+-Li^+交换技术制作了平面光波导并用m-线光谱在632.8nm测量了平面光波导的有效折射率.根据反WKB法得到折射率形貌,计算了离子交换参数如:离子交换深度、表面折射率,折射率改变和扩散系数等.
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:为提高大功率脉冲氙灯的封接强度,将微晶玻璃作为封接材料引入到氙灯封接应用中. 以 Bi2O3,ZnO,Al2O3,MgO,CaCO3,SiO2,BaO,H3BO3,P2O5,Na2O 为原料,通过高温熔融制备了大功率脉冲氙灯封接 用微晶玻璃样品. 测试了样品的热膨胀系数,并通过差热分析(Differential Thermal Analysis,DTA)对脉冲氙灯 微晶玻璃的封接温度进行了讨论,用X 射线衍射(X-ray diffraction ,XRD)表征了封接玻璃,并进行了分析. 将 制得的样品磨成玻璃粉末,制成膏剂状玻璃焊料,对大功率脉冲氙灯进行封接,得到大功率脉冲氙灯的微晶 玻璃封接件. 通过氦质谱检漏仪检测,1#、2#、4#封接件气密性良好,达到10-6 Pa.
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Atomic force microscopy (AFM) was applied to study the surface morphology of SrTiO
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利用射频磁控溅射法室温下在Si(100)衬底上制备了N掺杂的TiO2薄膜,并且采用x射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射光谱对薄膜进行了表征。XRD结果表明在纯Ar和N2(33.3%)/Ar气氛下制备的TiO2-xNx薄膜均为单一的金红石相,薄膜结晶性良好,呈高度(211)择优取向,而在N2(50.0%)/Ar下制备的薄膜结晶性明显变差;对于N掺杂的TiO2薄膜,XPS表明部分N原子进入TiO2晶格,并且以N—Ti—O、N—O键以及间隙式N原子形式存在;透射光谱表明掺N后的TiO2薄膜吸收边发生了红移。
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用磁控溅射法在K9玻璃上沉积了非晶硅(a—Si)膜和a—Si/Al膜,并将其在流动的N2气氛下进行退火。对退火前后的样品进行Raman光谱、XRD和SEM表征和分析。Raman光谱表明随着退火温度的升高,a-Si膜的散射峰出现了明显的蓝移,但XRD结果表明薄膜仍为非晶态;而a—Si/Al膜在温度很低时就已经开始晶化。
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用群论的方法计算了Nd:YbVO4晶体的拉曼活性振动模数目,在室温下测得了其极化拉曼谱线,并指认了在不同几何配置下,各振动模式所对应的频率。同时,测得了室温下晶体的吸收谱,得到了中心波长为808am吸收峰的半高宽为12nm,并在J-O理论的基础上计算了晶体的光学参数,其三个晶场参数分别为Ω2=6.88945×10^-20cm^2。Ω4=4.13394×10^-20cm^2、Ω6=4.54503×10^-20cm^2,并由此得到^4F3/2能级的荧光寿命为178.69炉,1062nm处的荧光分支比为48.85%,积分发射截面为2.786710^-18cm^2。分别在808nm、940nm激发下测得晶体室温发射谱,观察到了Nd→Yb以及Nd←Yb间的能量传递现象。
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为适应在n、γ昆合脉冲辐射场中对低强度快脉冲y辐射测量的需要,近年国内新研制出实用型YAlO3:Ce(YAP:Ce)快响应无机闪烁晶体。我们使用脉冲线性电流大于1.5A的光电倍增管,分别配置这种晶体以及CeF3、NaI等晶体构成闪烁探测器,在放射性标准源场中,对晶体的相对探测能力进行测量。测量结果表明:国产新型YAP:Ce无机晶体对这1.25MeV射线的探测能力比同体积的CeF3平均高一个量级,是同体积NaI的40%左右;当晶体厚度小于2mm时,YAP:Ce与CeF2、NaI的输出比值分别大于16和44%,说明厚度越薄晶体的相对探测能力越强。
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采用磁控溅射法在(001)、(100)及(010)LiGaO2衬底上制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、透过光谱以及光致发光谱(PL)对薄膜的结构、形貌及光学性质进行了表征。结果表明LiGaO2衬底不同晶面上制备的ZnO薄膜具有不同的择优取向,在(001)(、100)及(010)LiGaO2上分别获得了[0001][、1100]及[1120]取向的ZnO薄膜;不同取向的ZnO薄膜表面形貌差异较大;薄膜在可见光波段具有较高的透过率;在ZnO薄膜的光致发光谱中只观察到了位于378 nm的紫外发射峰,而深能级发射几乎观察不到,(1100)取向的薄膜紫外发射峰强度最大,半高宽也最小,薄膜光致发光性质的差异主要和晶粒尺寸有关。
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采用提拉法生长出φ30 mm×55 mm的ScAlMgO4晶体。在晶体生长过程中有轻微的挥发,粉末X射线衍射分析表明:挥发物质为MgO单相。运用扫描电镜、光学显微镜以及高分辨X射线衍射仪对晶体中的包裹物、开裂、生长条纹和小角晶界缺陷进行了研究。结果表明:温度梯度和热应力是形成晶体中缺陷的主要原因。通过合理设计温场,控制固-液界面的形状及冷却过程的降温速率,可以提高晶体的完整性。
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采用提拉法生长了掺Ce、掺Yb和掺Mn的铝酸钇(YAlO3,YAP)晶体,晶体均完整透明,无肉眼可见的气泡、散射和包裹物等宏观缺陷。通过化学腐蚀和同步辐射白光形貌实验检测了YAP晶体中的生长小面缺陷。结果表明:晶体生长过程中,由于凸向熔体的固-液界面,造成了小面生长现象。沿[101]方向生长的YAP晶体中出现的小面为(102),(201),(121)和(121)奇异面。X射线摇摆曲线表征的结果表明:生长小面的存在严重破坏了晶体的微观结构完整性和均匀性,并导致了小角度晶界缺陷的产生。
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采用热键合技术,制作中运用不同的工艺参量制作出12片Yb∶Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb∶YAG/YAG)复合晶体。利用偏光显微镜对其键合界面进行了观察,研究了样品的透射光谱,从而确定出复合晶体合适的制作工艺。通过透射光谱的形状和透射率来表征复合晶体键合界面的质量。研究表明Yb∶YAG/YAG复合晶体键合质量较好,可实现一体化。
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为了将β-Ga2O3单晶应用于作为外延生长优质GaN薄膜的衬底材料,本文对β-Ga2O3 (100)进行了氮化处理,并且主要讨论了氮化温度以及β-Ga2O3表面的粗糙程度对GaN形成的影响。我们发现,最理想的氮化温度在900oC。此时,在抛光的β-Ga2O3的表面上生成了一层具有六方结构并且有择优取向的GaN层。本文同时也对氮化的机理进行了讨论。
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以高纯α-Al2O3和石墨为原料,采用温梯法生长了α-Al2O3:C晶体,使用RisΦTL/OSL-DA-15型热释光和光释光仪研究了其热释光和光释光特性.α-Al2O3:C晶体在462K附近有单一热释光峰,发射波长位于410nm.随着辐照剂量的增加,热释光强度逐渐增强,462K的热释光特征峰位置保持不变.α-Al2O3:C晶体的光释光衰减曲线由快衰减和慢衰减两个部分组成,随着辐照剂量的增加,快衰减部分衰减速率变化不大,而慢衰减部分衰减速率加快.在5×10-6—10Gy剂量范围内,α-Al2O3:C晶体的热释光剂量响应呈现良好的线性关系,30Gy时达到饱和;光释光剂量响应在5×10-6—60Gy剂量范围内呈现良好的线性关系,100Gy时达到饱和.与热释光相比,光释光剂量响应具有更高的灵敏度和更宽的线性剂量响应范围.
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采用丘克拉斯基(Czochralski)技术生长了掺铥硅酸镥(Tm∶Lu2SiO5,Tm∶LSO)晶体;测量了LSO晶体在室温下的非偏振吸收光谱和非偏振荧光光谱;利用窄得-奥菲特(Judd-Ofelt)理论计算了Tm∶LSO晶体的窄得-奥菲特强度参数、振子强度、自发辐射概率、辐射寿命、积分吸收截面和积分发射截面.Tm∶LSO晶体的强度参数为Ω2=9.1355×10-20cm2,Ω4=8.4103×10-20cm2,Ω6=1.5908×10-20cm2;Tm∶LSO晶体在1.9μm附近有明显的发射峰(3F4→3H6跃迁),相应的辐射寿命为2.03 ms,积分发射截面为5.81×10-18cm2,半峰全宽(FWHM)为250 nm.用Tm∶LSO晶体在77 K温度下实现了激光运转.利用792 nm的激光二极管(LD)作为抽运源,获得中心波长为1960 nm的激光输出,抽运阈值为2.13 kW/cm2.