高山松（Pinus densata）同倍性杂交物种形成的生态遗传学研究

种间杂交在自然界中普遍存在。杂交可以为群体带来多方面的遗传改变，具有重要的进化生物学意义。越来越多的证据表明，同倍性杂交物种形成是一种重要物种形成途径，在动、植物物种进化中扮演着重要的角色。同倍性杂交物种形成意味着一个稳定的、可育的、与亲本种间形成生殖隔离的杂种群体建立起来，但不改变染色体的数目。这种生殖隔离被认为是通过快速的染色体重组、生态分化、或空间分离形成的。对于现存杂交种的对比分析和对同倍性杂交物种形成的理论模拟都表明，适应性分化和生态转变在同倍性杂交物种形成中起着至关重要的作用。来自于生态成种的研究也表明生态选择自身就可以导致生殖隔离的形成和新物种的形成。尽管如此，我们对同倍性杂交物种形成过程的研究仍然较多地关注于染色体重组及相应的遗传效应；对于自然选择，特别是生态选择在同倍性杂交成种过程中的作用模式缺乏全面地了解。 本研究以同倍性杂交种－高山松为研究对象，利用地理信息学技术、基于天然群体取样的性状对比分析和人工杂交手段，全面地定量描述了高山松及其亲本种间的生态分化、生态转变下的天然群体生殖适应性、以及生态选择下的形态变异和种间杂交可配性。以此探讨了高山松的杂交成种过程，生态转变和自然选择的重要性以及它们与杂交种适应性、形态变异和生殖隔离之间的关系。利用地理信息学手段，对高山松及其亲本种间的生态分化对比分析表明：高山松与其亲本种间形成了明显的生态转变；在自然选择的作用下，高山松已经具备了对于青藏高原东南缘横断山区高山地带独特的生态适应性；相对于亲本种，它的适应性特征体现为混合型，在某些性状上它高出亲本种的适应性，在另一些性状上，它体现出居中、较低或者类似于亲本种适应性；高山松适生区由于地形地貌的复杂性，往往不连续，呈间断状。基于四个反映结实效率的性状、小孢子母细胞减数分裂异常现象及花粉萌发率在种间的对比分析表明，这些反映生殖状态的指标，在三个种及群体间并没有显著差异；相对于亲本种的天然群体，居于青藏高原的高山松群体，表现出了正常的授粉效率和生殖适应性。高山松天然群体正常的生殖效率表明，它经历了生态转变过程中的选择作用，已经具备了在新生境下，繁殖发展下去的生殖适应性。 在大规模群体取样的基础上，通过对反映植物个体发育和营养状态的球果和针叶形态性状的对比分析，我们发现，高山松及其亲本种间的形态变异存在以下特征：第一，绝大多数性状，在种间和种内群体间都存在着显著的差异，并且大部分性状的差异主要体现在种间；第二，高山松在大部分形态性状上介于两个亲本种之间，少数性状表现为超亲分离、类似于某个亲本或无种间差别；第三，在多数性状上，和亲本种相比，高山松群体都拥有较大的变异幅度。第四，在临近亲本种的群体中，高山松的形态特征更类似于所临近的亲本种。上述形态变异特征及其与气象、土壤、经纬度、海拔等因子间普遍的相关性，意味着生态选择在高山松成种过程中起了重要作用。总的来说，形态性状变异的总体模式揭示出：高山松在选择作用下的遗传和表型的精炼过程中已经形成了自身适应于高原环境的、稳定而有效的形态发育模式和资源利用方式，甚至是恰当的防御机制。 本研究通过云南松×油松的单交实验和油松×高山松部分双列杂交实验，检验了高山松及其亲本种间的杂交可配性。结果表明，就平均水平而言，高山松及其亲本种间的种间杂交结实可配性低于种内杂交，但个别种间杂交组合的结实可配性可能高于种间杂交；高山松及其亲本种间正在或已经形成了部分的合子后生殖障碍；现存的高山松群体及其亲本种间的生态地理隔离可能是很有效的生殖隔离形式，一方面做为合子前生殖隔离，它能避免种间相互传粉、阻碍种间杂交的发生，另一方面做为合子后生殖隔离，它能清除掉可能存在的劣势回交产物。 综合已有的证据，我们提出了高山松同倍性杂交物种形成模型：高山松的同倍性杂交成种是与青藏高原隆升过程以及隆升过程中所产生的全新生态空间紧密相关的；青藏高原隆升导致了生态环境的剧变，创造了全新的生态位，在选择的作用下，拥有综合了双亲遗传基础的杂种基因型开始占领这个全新的生态位；在分化的生态选择的持续作用下，杂种基因型在新的生境下稳定下来，形成了独立于亲本种的资源利用方式、形态特征和繁育系统，具备了完善的生殖和生态适应性；此时，一个与亲本种间以生态隔离存在的同倍性杂交种－高山松形成了；随着分化的生态选择的持续进行,高山松与亲本种间的内在生殖隔离不断加强。

H-OLE1基因的克隆与功能鉴定及维管组织分化的激素调节

脂肪酸是生物体内普遍存在、具重要生理功能的物质，亦是重要的化工原料。研究脂肪酸生物合成及其调控，既是揭示生命活动基本规律的需要，又具巨大的经济价值。多形汉逊氏酵母(Hansenula polymorpha)是一种甲基嗜热酵母，能合成多聚不饱和脂肪酸，是研究脂肪酸生物合成的理想材料之一。为阐明多形汉逊氏酵母细胞中脂肪酸生物合成途径、关键步骤、调节机理，并利用此系统生产有用脂肪酸，我们开展了不饱和脂肪酸生物合成关键酶基因--△9-脂肪酸去饱和酶基因研究。 以P. angusta IFO 1475的P-OLE1基因为探针，Southern杂交分析，发现在亲缘关系很近的不同种类的甲基嗜热酵母如H. pofymorpha、Pichia angusta、P. pastoris、P. methanolica和Candida boMinii中Δ9-脂肪酸去饱和酶基因的结构多形性。 构建了H. polymorpha CBS 1976染色体Δ9-脂肪酸去饱和酶基因座位的限制性酶切图谱，进而分离了3.4 kb BamHI-XhoI基因片段并进行全序列分析，结果表明这个片段含1个与已克隆的酵母Δ59-脂肪酸去饱和酶基因高度同源的、由1353 bp组成的ORF。推导的H-OLE1多肽具脂肪酸去饱和酶的一些基本特征，如含2个结构域：1个位于N一端、含3个保守的组氨酸簇、具催化功能，另1个位于C-端、参与脱饱和反应中电子传递、类似细胞色素b5。将这个序列申报DDBJ，获得Accession number为：AB024576，推导的蛋白的氨基酸序列的Accession number为：BAA75902。 为验证H-OLE1基因的功能，建立了多形汉逊氏酵母DNA电穿孔实验系统，进行了遗传互补测验。发现完整的H-OLE1基因可互补缺乏Δ59-脂肪酸去饱和酶活性的多形汉逊氏酵母营养缺陷型fadl突变体，却不能互补相应的酿酒酵母olel突变体，而由酿酒酵母GAP表达框架和H-OLE1 ORF组成的嵌合基因可互补上述olel突变体。说明H-OLE1基因编码Δ9-脂肪酸去饱和酶，多形汉逊氏酵母的Δ9-脂肪酸去饱和酶和酿酒酵母的脂肪酸脱饱和系统相亲和，而H-OLE1基因的启动子在异源细胞中没有活性。 为研究H-OLE1基因的转录及其调节规律，通过一系列实验，首次找到了可在研究多形汉逊氏酵母基因表达时用作内标的GAP基因。Northern杂交发现，H-OLE1基因在细胞中以较低水平表达，产生1.5 kb的转录子;基因表达略受不饱和脂肪酸的抑制;在多形汉逊氏酵母HOLE1基因的转录调节中，Choi等在酿酒酵母OLE1基因中发现的脂肪酸调节元件FAR可能不是关键的。 利用基因敲除技术，通过转化H-OLE1∷S-LEU2线性DNA到多形汉逊氏酵母二倍体细胞(fadl／FADl)中，首次构建了多形汉逊氏酵母H-OLE1基因的破坏株。遗传学和分子生物学研究表明，破坏株细胞中线性DNA定位串联多拷贝整合到染色体中并置换了fadl突变部位。利用气相色谱分析了ΔH-OLE1破坏株、fadl-2突变株、野生型菌株及含H-OLE1基因转化子的细胞总脂肪酸，发现多形汉逊氏酵母细胞中除18:0→18:1(Δ9)→18:2(Δ9,12)→18:3(Δ9,12,15)这个脂肪酸去饱和主路外，还可能存在其它几个脱饱和反应与延长反应，如16:1(Δ9)→16:2(Δ9,12)→18:2(Δ11,14);16:1(Δ9)→18:1(Δ11)→18:2(Δ11,15)等。 近年维管组织分化研究进展迅速，取得大量可喜结果，也存在许多不足，如细胞分化调节机理，特别是激素诱导的分子机理研究比较薄弱。为建立研究维管组织分化的理想系统，研究嫁接体发育的激素调节机制，在Parkinson和Yeoman发明的离体茎段嫁接系统的基础上，研究了激素对嫁接体发育特别是维管组织分化的影响。 采用不同的嫁接方法，用试管苗对黄瓜离体茎段自体嫁接、亲和性的黄瓜／黑籽南瓜与不亲和性的黄瓜／绿豆离体茎段嫁接组合进行研究，建立了嫁接过程简单、污染率低的试管苗离体茎段嫁接系统。利用往培养基中添加或不加植物激素研究嫁接体发育，发现通过改变培养基中的植物激素，可使亲和的嫁接体难以形成贯通砧木和接穗的维管束桥，也可诱导非亲和性的嫁接体产生维管束桥。初步研究证明利用植物激素可以克服嫁接不亲和性，这一结果是嫁接基础理论研究的一个重要进展，对揭示嫁接亲和性机制具重要意义。由于黄瓜绿豆嫁接组合中，砧木绿豆是可以固氮的豆科植物，研究结果具有潜在的应用前景。 详细地研究了外源IAA和玉米素(ZT)对黄瓜自体嫁接系统中维管束桥形成时间和数目特别是贯通砧木和接穗的管状分子数的影响。当砧木和接穗培养基中都没有添加植物激素时，嫁接接合部难以产生维管束桥，也难以产生贯通的管状分子。当培养基中添加植物激素时，维管束桥数和贯通的管状分子数随激素浓度和种类的不同而不同。本实验的最佳激素条件是：在接穗培养基中加IAA 1.0 mg／L和ZT 0.25 mg／L，在砧木培养基中加ZT 0.25 mg／L。研究表明在试管苗离体茎段自体嫁接系统中，外源激素是嫁接成功的必要条件。试管苗离体茎段嫁接系统是一个理想的研究植物维管组织分化的新系统。 通过对嫁接体发育期接合部及嫁接体各部分IAA、玉米素及玉米素核苷(Z+ZR)的ELISA分析，发现嫁接接合部维管束的再生受IAA和Z+ZR含量的共同调节;连接接穗和砧木维管束桥的分化比维管束的网联要求更高的IAA水平及LAA(Z+ZR)比率。 上述结果为利用嫁接系统研究维管组织分化机理奠定了基础，使进一步研究嫁接体发育的激素调节机理成为可能。

大百合属间杂交亲和性、离体培养及耐热生理研究

本实验以大百合和百合东方杂种系“索蚌”为材料，对大百合、百合杂交的亲和性、大百合离体培养及其耐热性进行了研究，以期为大百合与百合杂交育种及相应的耐热百合材料的筛选、种质保存、新品种快繁及栽培应用提供理论依据。 　　以大百合为母本，百合为父本，对属间杂交授粉后花粉管的行为进行观察，结果表明：大百合与百合属间杂交授粉后，百合的花粉在大百合的花柱内的伸长过程中，出现少部分花粉管末端分叉、膨胀或变细，胼胝质大量不规则沉淀，及部分花粉管在伸长过程中受阻等不亲和现象，但大部分花粉仍能够正常萌发，穿过花柱道，进入子房，到达胚珠，且能够观测到早期的胚。虽然杂交亲和性与花粉管的行为有关，但杂交的成功与否还受到受精后诸多因素的影响，还需要从胚胎学和遗传学方面进一步探讨。 　　以大百合的鳞片、叶柄和子房为外植体，进行离体培养，结果表明：大百合的鳞片和叶柄外植体均可成功地诱导小鳞茎，叶柄相对更容易。鳞茎诱导小鳞茎的最佳培养基为MS＋NAA0.5－1.0mg/ml +BA2.5mg/ml +KT2.5mg/ml +蔗糖3%＋琼脂0.7%，28周后，每个外植体平均可以分化4-11个小鳞茎;叶柄诱导小鳞茎的最佳培养基为MS＋NAA1.0－2.0mg/ +BA2.5-3.0mg/ml +KT2.5-3.0mg/ml +蔗糖3%＋琼脂0.7%，26周后，每个外植体平均可以分化3-9个小鳞茎。同时也发现，用鳞茎作为外植体，污染率较高。在大百合的子房离体培养实验中发现：BA和KT 是影响大百合子房分化途径的关键因素，其浓度分别为0.1-1.0mg/L、2.0-4.0 mg/L和高于4.0mg/L时，外植体分别分化为愈伤组织、芽和叶。外植体分化的基本培养基以N6、B5为佳。愈伤组织诱导小鳞茎的最佳培养基为MS+0.1-0.5mg/L NAA +2.5mg/L BA+2.5mg/L KT +10%蔗糖+0.7%琼脂。在1/2MS +3%的蔗糖+0.7%琼脂+1%活性炭的生根培养基上，生根率为100%。炼苗一周后移栽，长势良好。 　　对长至5－6片真叶的大百合植株在不同高温（30℃、35℃和40℃）下，分别进行4h、10h及24h(热胁迫10h，然后在22℃对照温度下缓苗14h)的热胁迫处理，测定了不同处理下，植株的净光合速率（Pn），实际光化学效率（φPS2），最大光化学效率（Fv/Fm）和叶片的相对电导率，游离脯氨酸含量，可溶性蛋白含量，以及叶片中超氧化物歧化酶（SOD）和过氧化氢酶(CAT)的活性。结果表明：大百合对30℃的高温胁迫有较好的适应能力，表现为可溶性蛋白、游离脯氨酸等渗透调节物质的积累，抗氧化酶活性的提高，以及缓苗后细胞膜的自我修复和光合能力的恢复;随着胁迫温度的升高（35℃、40℃）和胁迫时间的延长（4h、10h），大百合一方面对高温胁迫做出了积极的响应，另一方面，光系统的光合能力，细胞膜的稳定性，抗氧化酶的活性，也受到了一定程度的伤害，在缓苗后,细胞膜的稳定性、细胞的渗透势、抗氧化酶的活性等都在一定程度上得到恢复。 　　

The giant panda (Ailurapoda melanoleuca) somatic nucleus can dedifferentiate in rabbit ooplasm and support early development of the reconstructed egg

The giant panda skeletal muscle cells, uterus epithelial cells and mammary gland cells from an adult individual were cultured and used as nucleus donor for the construction of interspecies embryos by transferring them into enucleated rabbit eggs. All the three kinds of somatic cells were able to reprogram in rabbit ooplasm and support early embryo development, of which mammary gland cells were proven to be the Lest, followed by uterus epithelial cells and skeletal muscle cells. The experiments showed that direct injection of mammary gland cell into enucleated rabbit ooplasm, combined with in vivo development in ligated rabbit oviduct, achieved higher blastocyst development than in vitro culture after the somatic cell was injected into the perivitelline space and fused with the enucleated egg by electrical stimulation. The chromosome analysis demonstrated that the genetic materials in reconstructed blastocyst cells were the same as that in panda somatic cells. In addition, giant panda mitochondrial DNA (mtDNA) was shown to exist in the interspecies reconstructed blastocyst. The data suggest that (i) the ability of ooplasm to dedifferentiate somatic cells is not species-specific; (ii) there is compatibility between interspecies somatic nucleus and ooplasm during early development of the reconstructed egg.

Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition

We report on normal incidence p-i-n heterojunction photodiodes operating in the near-infrared region and realized in pure germanium on planar silicon substrate. The diodes were fabricated by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition at 600 degrees C without thermal annealing and allowing the integration with standard silicon processes. Due to the 0.14% residual tensile strain generated by the thermal expansion mismatch between Ge and Si, an efficiency enhancement of nearly 3-fold at 1.55 mu m and the absorption edge shifting to longer wavelength of about 40 nm are achieved in the epitaxial Ge films. The diode with a responsivity of 0.23 A/W at 1.55 mu m wavelength and a bulk dark current density of 10 mA/cm(2) is demonstrated. These diodes with high performances and full compatibility with the CMOS processes enable monolithically integrating microphotonics and microelectronics on the same chip.

A Fully Integrated 900-MHz Passive RFID Transponder Front End With Novel Zero-Threshold RF-DC Rectifier

This paper presents a fully integrated CMOS analog front end for a passive 900-MHz radio-frequency identification (RFID) transponder. The power supply in this front end is generated from the received RF electromagnetic energy by using an RF-dc voltage rectifier. In order to improve the compatibility with standard CMOS technology, Schottky diodes in conventional RF-dc rectifiers are replaced by diode-connected MOS transistors with zero threshold. Meanwhile, theoretical analyses for the proposed rectifier are provided and verified by both simulation and measurement results. The design considerations of the pulsewidth-modulation (PWM) demodulator and the backscatter modulator in the front end are also discussed for low-power applications. The proposed front end is implemented in a 0.35-mu m 2P4M CMOS technology. The whole chip occupies a die area of 490 x 780 mu m(2) and consumes only 2.1 mu W in reading mode under a self-generated 1.5-V supply voltage. The measurement results show that the proposed rectifier can properly operate with a - 14.7-dBm input RF power at a power conversion efficiency of 13.0%. In the proposed RFID applications, this sensitivity corresponds to 10.88-m communication distance at 4-W equivalent isotropically radiated power from a reader base station.

Photonic switch and NOT logic gate based on the hybrid integration of a GaAsVCSEL and a GaAs MISS

The hybrid integrated photonic switch and not logic gate based on the integration of a GaAs VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) and a MISS (Metal-Insulator-Semiconductor Switches) device are reported. The GaAs VCSEL is fabricated by selective etching and selective oxidation. The Ultra-Thin semi-Insulating layer (UTI) of the GaAs MISS is formed by using oxidation of A1As that is grown by MBE. The accurate control of UTI and the processing compatibility between VCSEL and MISS are solved by this procedure. Ifa VCSEL is connected in series with a MISS, the integrated device can be used as a photonic switch, or a light amplifier. A low switching power (10 mu W) and a good on-off ratio (17 dB contrast) have been achieved. If they are connected in parallel, they perform a photonic NOT gate operation.

In-situ Boron-doped Low-stress LPCVD Polysilicon for Micromechanical Disk Resonator

Polycrystalline silicon (polysilicon) has been used as an important structural material for microelectro-mechnical systems (MEMS) because of its compatibility with standard integrated circuit (IC) processes. As the structural layer of micromechanical high resonance frequency (high-f) and high quality factor (high-Q) disk resonators, the low residual stress and low resistivity are desired for the polysilicon thin films. In the present work, we investigate the effect of deposition and annealing conditions on the residual stress and resistivity for in-situ deposited low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) polysilicon films. Low residual stress (-100 MPa) was achieved in in-situ boron-doped polysilicon films deposited at 570 degrees C and annealed at 1000 degrees C for 4 hr. The as-deposited amorphous polysilicon films were crystallized by the rapid thermal annealing and have the (111)-preferred orientation, the low tensile residual stress is expected for this annealed film, the detailed description on this work will be reported soon. The controllable residual stress and resistivity make these films suitable for high-Q and bigh-f micro-mechanical disk resonators.

Selective and lithography-independent fabrication of 20 nm nano-gap electrodes and nano-channels for nanoelectrofluidics applications

A new method has been developed to selectively fabricate nano-gap electrodes and nano-channels by conventional lithography. Based on a sacrificial spacer process, we have successfully obtained sub-100-nm nano-gap electrodes and nano-channels and further reduced the dimensions to 20 nm by shrinking the sacrificial spacer size. Our method shows good selectivity between nano-gap electrodes and nano-channels due to different sacrificial spacer etch conditions. There is no length limit for the nano-gap electrode and the nano-channel. The method reported in this paper also allows for wafer scale fabrication, high throughput, low cost, and good compatibility with modern semiconductor technology.

The Category-Theoretic Solution of Recursive Domain Equations

Recursive specifications of domains plays a crucial role in denotational semantics as developed by Scott and Strachey and their followers. The purpose of the present paper is to set up a categorical framework in which the known techniques for solving these equations find a natural place. The idea is to follow the well-known analogy between partial orders and categories, generalizing from least fixed-points of continuous functions over cpos to initial ones of continuous functors over $\omega $-categories. To apply these general ideas we introduce Wand's ${\bf O}$-categories where the morphism-sets have a partial order structure and which include almost all the categories occurring in semantics. The idea is to find solutions in a derived category of embeddings and we give order-theoretic conditions which are easy to verify and which imply the needed categorical ones. The main tool is a very general form of the limit-colimit coincidence remarked by Scott. In the concluding section we outline how compatibility considerations are to be included in the framework. A future paper will show how Scott's universal domain method can be included too.

可生物降解脂肪族聚酯的反应接枝与相形态

聚（β-轻基丁酸醋-co-β-经基戊酸酷）（PHBV）是一种生物降解脂肪族聚酷，其结晶成核密度低，结晶速度比较慢且易生成大尺寸的球晶。以球晶中心向外扩展形成许多圆环状的开裂以及沿球晶生长方向形成许多劈裂，从而导致了PHBV呈脆性断裂。只要能有效地降低其结晶度，减小球晶尺寸，就可以达到增韧的目的。通过PHBV与二氧化碳一环氧丙烷共聚物（PPC）反应接枝来调控PHBV的结构和相形态，具有实际的理论意义和应用前景。开展了PPC的封端和与PHBv的接枝反应。首次提出了甲基丙烯酸缩水甘油醋（GMA）与PHBV及PPC与PHBV－GMA的接枝反应机理。确信PHBV接枝GMA的接枝点发生在PHBV骨架上的季碳原子上，反应过程中没有交联反应和降解反应的发生。发现PHBv-g-Gh1A共聚物上环氧基能与封端的PPc上的梭基熔融反应原位生成了PHBv-g-PPC共聚物。在机械共混物中两大分子之间的接枝和醋交换反应几乎不发生。GMA的引入阻止了PHBV的降解行为，从而改善了PHBV的加工性能。成功地调控了PHBVPC结构及相形态。证实了PHBV与PPC在反应共混过程中的接枝反应。加入PPC阻碍了PHBV的结晶，这在反应体系中更加明显。通过控制反应条件和反应物的组成，可以使非反应共混物中PHBV球晶变得不规则，发生扭曲变形，球晶尺寸降低；而在反应共混物中，可以使其球晶已很难辨认。SEM结果表明在PHBV用PC（30／70）和PHBV用PC（70／30）共混物中发生了相转变。尤其在反应共混物中淬断面表现为塑性。力学性能随共混组成而发生较大幅度的改变。发现通过改变组成及对反应共混相结构的控制，PHBV共混物的断裂伸长率可变化1一2个数量级，从而实现了制得一系列从脆性断裂塑料到高韧性弹性体的高分子材料。研究了反应接枝共混体系的熔融、结晶行为、等温和非等温结晶动力学。发现加入的GMA对PHBV有成核作用。引入的PPC阻碍了PHBV的结晶，降低PHBV的结晶度，球晶径向生长速率，平衡熔点和结晶能力。结晶速率与冷却速率有较大的依赖性。修正的Avrami方程能很好地描述PHBv和PHBv爪PC共混物非等温结晶过程。对动态力学性能的分析发现，反应共混物相比于非反应共混物聚合物玻璃化温度都有不同程度的内移，说明两组分间相容性增加，接枝共聚物具有良好的增容效果，显著地改善了两相界面性能。PHBV可以部分进入PPC相区，使共混物分子运动特征发生改变。发现在熔体加工条件下，PHBV与PPC之间很难发生酷交换反应，但是以辛酸亚锡为催化剂，氯苯为溶剂，在120℃条件下，两者可以发生醋交换反应。在聚己内醋（PCL）用PC熔融共混过程中GMA可以有效地抑制过氧化二异丙苯（DCP）所引起的PCL交联反应。在DCP和OMA存在下得到的样品之球晶具有十字消光现象，球晶规整度增大。同在溶液中醋交换催化剂存在下PPC和PCL发生了酷交换反应后所形成的球晶相结构相类似，而PCL／PPCOCP体系所形成的球晶中含有大量的非晶相区。从而，确信了GMA在脂肪族聚醋，脂肪族聚碳酸醋等生物降解高分子反应共混体系中的双重作用：一是引入具有高反应活性的官能团；二是减少在过氧化物作用下PHBV类高分子的降解及PCL类高分子的交联反应。PCL共混组分可以提高PPC相区的稳定性。提高反应时间或催化剂浓度同样能够改善热稳定性。

氯化原位接枝反应合成酐化CPE及结构表征

本硕士论文主要工作是利用氯化原位接枝反应对高密度聚乙烯（HDPE）进行氯化及醉基化。对上述反应体系的反应机理，产物的化学结构、链结构、反应条件对MAH接枝率（GD％）的影响以及物理机械性能等进行了详细的讨论。采用FT-IR和~1HNMR方法对氯化原位接枝反应的配化产物CPE-g-MAH进行了表征。二者均证明了MAH单体接枝到氯化聚乙烯主链上，证实了氯化原位接枝反应的可行性。并用~1HNMR，结合EI-Ms电喷雾质谱表征了氯化原位接枝共聚物CPE-g-MAH的链结构。反应过程中，主链及支链均被氯化。氯化原位接枝共聚物CPE-g-MAH凝胶含量的测定结果表明，在氯化原位接枝过程中没有交联反应的发生。论文中还研究了醉化CPE的合成过程。主要针对反应条件对MAH接枝率（GD％）的影响进行了详细的讨论，包括氯化原位接枝的温度模式、MAH单体量、氯气流量、氯含量等对MAH接枝率（GD％）的影响。同时探讨了氯化原位接枝反应历程。考查了氯化原位接枝MAH体系和氯化HDPE林系自由基浓度随时间变化的情况。接枝产物的硫化特性曲线表明：由于MAH的引入，聚合物主链上连接有酸配基团，使得氯化原位接枝共聚物CPE-g-MAH可以通过官能团之间相互反应而交联成为可能。随着MAH接枝量的升高，接枝率上升使得HDPE大分子链上带有更多MAH接枝点，CPE-g-MAH可硫化的程度相应提高。接枝产物的力学性能测试结果表明：随着MAH接枝率的增加，材料的拉伸强度上升，而材料的扯断伸长率、硬度等力学性能下降。

LLDPE接枝新型表面活性剂共聚物的制备及其结构、性能与应用的基础研究

合成三个系列的新型表面活性剂，制备了三个系列的聚乙烯接枝共聚物。第一系列的表面活性剂是将Tween8O、span80，聚氧乙烯肉桂醇醚，PEO（400），PEO（1000），PEO（2000）OCOC1’7H35和PEO（6000）-OCOC17H35引入双键而使其功能化，然后接枝到聚乙烯分子链上，表面活性剂的引入改变了聚乙烯的表面性能，使其亲水性增加。前三者为商品防雾滴剂，实验发现防雾滴剂的聚乙烯接枝共聚物膜的防雾滴性不如物理共混法制备的聚乙烯防雾滴膜的效果好。接枝聚乙烯共聚物LLDPE-g-PEO和LLDPE-g-PEO-sterate，由于结构差别，共聚物表面组成不同。前者随着支链长度的增加，支链柔性降低，共聚物表面氧的富集量趋于减少；而后者由于疏水基硬脂酸中碳链的存在，随着支链的增加，共聚物表面氧的富集量增加。LLDPE-g-PEO（400）和LLDPE-g-PEO（1000）的等温结晶速率都比空白聚乙烯的快。由于PEO与聚乙烯不相容，支链PEo在接枝共聚物中起异相成核剂的作用，使结晶速率加快。LLDPE-g-PEO（2000）-stearate的等温结晶速率与聚乙烯的接近，但比空白聚乙烯的略慢。这是由于支链末端硬脂酸碳链是柔性的疏水链，且与聚乙烯有较好的相容性，在本体聚乙烯非晶区中活动性较强，带动聚氧乙烯支链向相同的方向运动，使支链在聚乙烯中分散且伸展，对聚乙烯分子起惰性稀释剂的作用而导致结晶速率降低；但聚氧乙烯（2000）又具有结晶性，在本体聚乙烯中起异相成核剂的作用，使聚乙烯结晶速率加快，这两种作用消长的结果，使LLDPE-g-PEO（2000）-stearte接枝共聚物的结晶速率接近聚乙烯，但比聚乙烯的结晶速率略慢。LLDPE-g-PEO（6000）-stearate接枝共聚物的结晶速率比聚乙烯的快，这是由于聚氧乙烯（6000）的结晶性较强，活动性较强的硬脂酸基团很难使其伸展，其晶粒在本体聚乙烯中主要起异相成核剂的作用，导致其结晶速率比聚乙烯的快。为了弄清表面活性剂接枝到大分子链上的作用机理，特设计第二、第三系列的表面活性剂。第二系列的新型表面活性剂是I、II、III、IV和V，以及含有不饱和键的表面活性剂A-I、A-II和A-III。这些表面活性剂是以聚乙二醇、乙二醇、1，6-己二醇和1，10-癸二醇为主要的起始原料制得的。实验结果发现这些表面活性剂的表面张力随着疏水链长度的增加而增加。以A-I、A-II和A-II作为接枝单体，将其成功接枝到聚乙烯分子链上，从而改善了聚乙烯的表面性能。 由FTIR确定了其接枝率。由DSc对其等温结晶行为的研究发现：接枝链在本体聚合物中起异相成核剂的作用，加速了结晶过程，但没有改变聚乙烯晶格结构（WXA）。随着接枝链中的疏水链长度的增加，等温结晶速率加快。在低剪切速率时，空白聚乙烯具有牛顿流体的特性，而接枝聚乙烯表现出非牛顿流体行为。接枝聚合物在低剪切速率具有剪切变稠、高剪切速率时剪切变稀的现象。第三系列的新型表面活性剂是含氟和聚氧乙烯的特种表面活性剂：productIII（600-4600）。以FTIR和1HNMR表征其结构。以productIII（600-4600）为接枝单体，成功制得含氟接枝聚乙烯共聚物，亲水性表面活性剂的引入，同样改变了聚乙烯的表面性能。当PEO分子量较低时，含氟接枝聚乙烯共聚物的表面极性随着接枝链的分子量增加，极性增加，在ProductIII（1500）时，达到最大值，分子量继续增加，极性反而降低。这是由于支链结晶增加而影响分子链的迁移。含氟接枝聚乙烯共聚物的等温结晶速率比空白LLDPE的高，而且接枝共聚物的结晶速率随着支链分子量的增加而加快。这是由于含氟聚氧乙烯的接枝链在结晶体系中起成核剂的作用，使结晶过程加速。由于接枝率低，接枝链在接枝共聚物起异相成核剂的作用，虽然加速了结晶速率，但没有破坏聚乙烯晶格。

Concise synthesis of novel practical sulfamide-amine alcohols for the enantioselective addition of diethylzinc to aldehydes

Novel sulfamide-amine alcohol ligands were designed using a grafting strategy and synthesized from readily available starting materials via a simple, efficient method. The key features of these ligands for the asymmetric addition of diethylzinc to aldehydes included stability, enhanced effectiveness without using Ti((OPr)-Pr-i)(4), suitability for a variety of aldehydes, the ability to operate at room temperature, and selectability to afford either absolute configuration products with enantiomeric excess up to >99%.