Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应

用X射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ti膜与AlN陶瓷衬底的界面固相反应。在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积200nm的Ti膜，并在真空恒温炉中退火。实验表明，退火中Ti膜与AlN界面发生了扩散与反应。650℃，1h退火已观测到明显的界面反应。界面反应产物主要是钛铝化物及Ti-N化合物。铝化物是Ti-Al二元化合物和Ti-Al-N三元化合物，850℃,4h退火后则主要由Ti_2AlN组成。

Ti和AlN陶瓷的界面反应

采用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜，并在高真空中退火。研究了从200￣850℃温区内Ti与AlN的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发生了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。

Ti和蓝宝石的界面反应

在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(a-Al_2O_3)衬底上蒸镀500 nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES和SIMS等表面分析技术详细研究了从室温至850℃,Ti与a-Al_2O_3的固相界面反应.首次系统提出了不同反应温区相应的化学反应式,讨论了采用体材料数据作热力学计算来预言Ti/a-Al_2O_3界面反应的局限性.

Ti Schottky barrier diodes on n-type 6H-SiC

Using thermal evaporation, Ti/6H-SiC Schottky barrier diodes (SBD) were fabricated. They showed good rectification characteristics from room temperature to 200degreesC. At low current density. the current conduction mechanism follows the thermionic emission theory. These diodes demonstrated a low reverse leakage current of below 1 X 10(-4)Acm(-2). Using neon implantation to form the edge termination, the breakdown voltage was improved to be 800V. In addition. these SBDs showed superior switching characteristics.

TI C28X系列MCU电源管理设计TI C28X系列MCU电源管理设计

A brief summary of TI C28X MCU is presented in this paper. The key points of power management design for all C28X MCU based on different requirements on power management are proposed. Two different solutions of power management design with specific examples can help C28X MCU developers with technical advice and have positive impact on application of C28X MCU in the field of industrial control.中文摘要：本文对 TI C28X 系列 MCU 作了简要归纳和介绍 针对各款 MCU 对电源管理的不同要求,提出了全系列 MCU 的电源管理部分设计要点,总结了两类不同的电源管理设计方案,对每类方案均给出了具体的设计案例 为 C28X 系列 MCU 的电源管理设计提供了技术指导,对促进 C28X 系列 MCU 在工业控制领域内的应用有积极的意义.

TI TMS320C6713 DSP板Flash二级装载程序设计

DSP系统的程序都是保存在非易失性存储器中,系统启动的时候,程序加载到系统的RAM中去执行。本文详细描述了TITMS320C6713DSP板以Flash作为引导存储器,采用二级装载的办法来实现程序的加载,并给出了数据传输的代码片断。文章介绍的这种二级装载的方法也可以应用于C6000系列其他型号的处理器。

TI TMS320C6713 DSP板FlashBurn程序设计

分析了将程序代码写入FLASH的两种方法,并在基于TITMS320C6713的DSP系统设计中,以28F128J3A为例,讨论了用FlashBurn软件和FBTC目标组件程序烧写FLASH的具体实现过程,给出了主要程序代码。

高电离态Ti原子EUV光谱的实验研究

在中国原子能研究院HI-13串列加速器上用束-箔技术完成了80MeVTi离子和C箔相互作用产生的高电离态离子谱观测,与用激光等离子体技术的实验结果做了比较,大多数谱线与激光等离子体技术的实验结果有较好的符合,有3条谱线是未观测到的.这几条谱线为ⅩⅧ13·406,ⅩⅧ14·987,X17·439nm,属于2s2p24P3/2—2p32D3/2,2s2p21S0—2sp31P1,4p1P0—5d1P1跃迁.

高电离态Ti原子光谱的测量

在加速器上利用束箔光谱方法 ,测量了Ti离子的高电离态光谱

Ti离子的高电离态激发光谱的实验研究

报道在中国原子能研究院HI-13串列加速器上用束-箔技术研究120MeV的Ti离子和C箔相互作用产生的高电离态离子谱的实验结果.在120-220nm范围,观测到53条激发能级的发射的谱线,其中有11条谱线是新确认的,实验结果与激光等离子体实验和理论结果相符合.

高电荷态离子~(126)Xe~(q+)与Ti固体表面作用的激发光谱

报道用 15 0keV的高电荷态离子1 2 6 Xeq + (6≤q≤ 30 )轰击Ti固体表面产生 2 0 0— 10 0 0nm波段发射光谱的实验结果 .结果显示 ,用电荷态足够高的离子作光谱激发源 ,无需很强的束流强度 (nA量级 ) ,便可激发起样品表面的原子和离子在可见光波段的特征谱线 .当入射离子剥离度q >qc≈ 2 0时 ,Ti原子及其离子的特征谱线强度突然显著增强 ;不同金属靶 ,特征谱线突然增强的qc值不同 .理论分析表明 ,这与q大于此临界值后 ,单电子转移释放能量激发靶材料传导电子气体的表面等离激元密切相关 .