Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应
| Data(s) |
1998
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|---|---|
| Resumo |
用X射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ti膜与AlN陶瓷衬底的界面固相反应。在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积200nm的Ti膜，并在真空恒温炉中退火。实验表明，退火中Ti膜与AlN界面发生了扩散与反应。650℃，1h退火已观测到明显的界面反应。界面反应产物主要是钛铝化物及Ti-N化合物。铝化物是Ti-Al二元化合物和Ti-Al-N三元化合物，850℃,4h退火后则主要由Ti_2AlN组成。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王佑祥;岳瑞峰;陈春华.Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应,物理学报,1998,47(1):75 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
