Ti和AlN陶瓷的界面反应
| Data(s) |
1997
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|---|---|
| Resumo |
采用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜，并在高真空中退火。研究了从200￣850℃温区内Ti与AlN的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发生了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
岳瑞峰;王佑祥;陈春华;徐传骧.Ti和AlN陶瓷的界面反应,西安交通大学学报,1997,31(8):1 |
| Palavras-Chave | #半导体化学 |
| Tipo |
期刊论文 |
