Donor acceptor pair in molecular beam epitaxy grown GaN

We have recently found evidence of new donor acceptor pair (DAP) luminescence in molecular beam epitaxy (MBE) grown films. A variety of nominally undoped samples have been studied by photoluminescence (PL) over a temperature range of 5-300 K. The samples show intensive luminescence al energies of 3.404-3.413 eV varying with different sample at 5 K, as well as a fairly strong (DX)-X-0 line at low temperature. We attribute the Line at 3.404-3.413 eV to DAP recombination which is over 0.1 eV different from the well known DAP caused by ME-doping in GaN. The DAP line shows fine structure. it even predominates in one particular sample. The peak position shifts to higher energy with temperature increasing from 5 up to 70 K, and as the excitation laser intensity increases. The data are consistent with DAP luminescence involving an acceptor level of about 90 meV (presumably carbon) above the valence band edge in GaN. It is much shallower than the acceptor level of 250 meV produced by the p-type dopant Mg which is commonly used at present. (C) 1997 Elsevier Science S.A.

Si基外延GaN的结构和力学性能

采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N.

Room temperature continuous wave operation of 1.33-micron InAs/GaAs quantum dot laser with high output power

Continuous wave operation of a semiconductor laser diode based on five stacks of InAs quantum dots (QDs) embedded within strained InGaAs quantum wells as an active region is demonstrated. At room temperature, 355-mW output power at ground state of 1.33-1.35 microns for a 20-micron ridge-waveguide laser without facet coating is achieved. By optimizing the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions, the QD density per layer is raised to 4*10^(10) cm^(-2). The laser keeps lasing at ground state until the temperature reaches 65 Celsius degree.

60瓦半导体激光器光纤耦合器件

应用光纤列阵耦合方式，对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向用一根柱透镜准直，准直后的光速耦合到光纤列阵中，实现出纤功率为60瓦的大功率半导体激光二极管线列阵光纤耦合效率大于80％，光纤的数值孔径NA为0.11。

半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介

GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件，日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件。由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数，它们还有很强的其他应用潜力，诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等。在20世纪80年代末和90年代初，在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件，特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展。文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用。

InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

报道了利用InAs外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在GaAs衬底上生长的InAs薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与GaAs平面Hall器件相比提高了50%。

MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg（1-x）CdxTe体系

对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响.

A one-way MOS analog switch

In this paper, a one-way NMOS analog switch featuring a low plug-in consumption is presented. The performances of analog switch, especially the performances of source follower are simulated under different conditions with PSPICE. Simulation results and factors affecting the deviation between input and output are analyzed, some advice on how to reduce the deviation between input and output is given. Ar the end of the paper, voltage relationship between input and output of the analog switch is obtained. Function of first degree, Vout = kVin + V0, is used to approximate the voltage relationship. The simulation results anti the value achieved from the approximation equation are given as well.

生态旅游区规划与管理的景观生态学途径

生态旅游区规划与管理是生态旅游研究的焦点之一，应用景观生态学理论与方法对生态旅游区这一特定区域类型进行规划与管理研究，探索生态旅游开发的新思路，在理论与实践上都具有重要意义。本文阐述了景观生态规划与管理的理论基础，提出生态旅游区规划的景观生态学方法和生态旅游区管理的景观生态学思路，并以森林公园、自然保护区等典型生态旅游区为例进行实证研究。主要研究内容如下：1、构建了包括基本原理、基础理论、目标、特点、原则、技术方法和流程等方面内容在内的景观生态规划理论框架，进而提出了生态旅游区规划的景观生态学方法，并对方法中景观生态学特色比较明显的方面进行重点研究，主要有：借助3S手段进行旅游资源调查评价，景观空间格局现状分析，景点之间吸引力等廊道特征分析，基于生态旅游景观适宜性分析的功能 分区，规划方案的景观指数评价等。同时，论文结合景观生态管理的观点，提出生态旅游区管理的景观生态学思路。2、系统进行乌苏里江国家森林公园总体规划的案例研究，论文在介绍公园的区域概况基础上，通过计算生态旅游资源的特征分值判断其质量等级；利用FRAGSTATS软件计算出的指数分析其景观格局现状。为解决规划的关键问题，论文一方面结合区域特征计算公园的生态旅游景观适宜度，经分类统计，最适宜开展生态旅游的面积为1814.76hm~2 (7.9%)、中等适宜的面积为623.44 hm~2 (2.7%)、一般适宜的面积为12209 hm~2 (53.05%)，以此为基础，把公园划分为森林生态旅游、生产经营、管理生活等三大功能区，确定不同地段能够提供的旅游功能，另一方面分析游客旅游需求，供需结合完成项目系统及其相应支持系统的规划。案例最后，计算发现规划前后斑块数从413减少到401，香农均匀度指数从0.755提高到0.787，优势度指数从25.547减少至24.500，另外景观破碎化程度有所降低，反映廊道特征的r指数、a指数和主要景点之间的景观引力值都有所增加，这些变化表明规划改善了景观空间格局，有利于规划目标的实现。3、用景观生态学的观点探讨碧塔海自然保护区的生态旅游管理，论文对保护区的基本情况与生态旅游开发情况作了简要介绍分析，据此确定了管理的目标和依据，进一步从组织机构、资源与游客三个层面提出了管理的具体措施和建议。