不同耕作方式对黄土高原旱地麦田土壤物理性状的影响

通过冬小麦田间试验,研究了免耕、深松、翻耕三种不同耕作措施对土壤物理特性的影响。结果表明:冬小麦收获时,免耕与其它处理相比,增大了土壤容重、土壤硬度,其土壤干筛法>0.25 mm团聚体含量比深松和翻耕每层平均增加3%和5%,但较冬小麦耕作处理前每层平均下降5%;免耕条件下,湿筛法>0.25 mm团聚体含量比深松和翻耕每层平均增加11%和32%,较冬小麦耕作处理前每层平均下降42%;免耕可增加土壤蓄水量,收获期土壤蓄水量为373.1 mm,较深松和翻耕提高17%和8%;随着降水量的增加,冬小麦收获期水分入渗速率逐渐减少;且不同耕作方式水分入渗速率为免耕>深松>翻耕。

稀土掺杂长余辉发光玻璃的研究

稀土掺杂的长余辉发光玻璃是一种新型的发光材料，其应用范围可以从传统的弱光照明领域延伸到信息存储领域。我们在探找新型的长余辉发光玻璃体系的过程中，总结了一些设计长余辉玻璃材料的方法，研究了稀土离子在玻璃基质中的发光行为和斓系离子与材料中缺陷的作用。我们在论文中首次报道了稀土掺杂的碱土硼硅酸盐玻璃的长余辉发光和光激励长余辉发光现象。试激活的碱土硼硅酸盐玻璃（Ro-BZO3-5102：TbZo3，R＝Mg，ca，s几B。）在254 nm紫外光辐照30 min以后，余辉时间长达6-10个小时。将激发后的玻璃避光保存24小时至余辉消失后，再使用低能量的366 nm的紫外光檄发样品，玻璃会重新发射长余辉，即产生光激励长余辉发光；而未预先经254 nm紫外光辐照的玻璃没有光激励长余辉现象发生。在这一体系中，光激励长余辉的衰减与首次激发的长余辉的衰减具有不同的衰减规律，辅以吸收光谱和热释光谱的表征，我们对其发光的机理进行了探讨。我们还研究了三价稀土离子在碱土硼硅酸盐玻璃中的发光性质，以及共掺稀土和其他金属离子对试激活的碱土硼硅酸盐玻璃荧光和长余辉发光的影响。此外1本论文还首次报道了Du3+，Tm+和Zr4+等离子在玻璃中的长余辉发光现象。

黄连中生物碱类化合物的电喷雾质谱研究

首先，利用现代软电离质谱技术－－一电喷雾质谱技术以及电喷雾源内碰撞诱导解离（CID）技术，对传统中药－－一黄连中的生物碱类化合物小聚碱及其同分异构体表小粟碱化合物的质谱碎裂机理进行了详细研究，实验结果表明，随着碰撞能量的变化，两者的质谱碎裂规律具有明显的差异，据此，建立了简便、快速、准确的小巢碱和表小聚碱两种同分异构体化合物区分的质谱新方法，为该类药材及其相应的中药制剂的质控提供了有效的手段和方法。其次，还利用电喷雾多级串联质谱（ESI-MSn）技术，系统地研究了传统中药－－一黄连中生物碱类化合物的质谱碎裂规律，我们通过一级质谱的数据，获得了黄连中生物碱类化合物的分子量信息，并对其中五个已知的生物碱进行了初步的确认，同时，通过一级质谱的结果，首次在黄连中发现的分子量为366的未知生物碱类化合物，并通过电喷雾多级串联质谱技术对上述六种化合物的结构进行了详细的研究，结合标准样品的串联质谱数据和文献资料，确认了五个已知的生物碱类化合物分别为小粟碱、巴马汀、药根碱、黄连碱和13-甲基小桨碱，并推断未知生物碱类化合物为13-甲基巴马汀，建立了黄连中生物碱类化合物简便、快速的质谱分析表征新方法，并为其他传统中药中生物碱类化合物的分析与表征积累了重要的理论数据，更重要的是建立了传统中药中未知生物碱类化合物确认和结构分析的质谱方法。此外，还利用量子化学DFT-B3LYP方法，6-31G（d）基组，详细研究了传统中药黄连中小璧碱分子的质谱碎片的相对稳定性。并通过对结合能的理论计算，探讨 质谱碎裂过程中关键基团的相对活性。结合几何参数比较和前线分子轨道分析等方法，从理论上解释了小聚碱化合物的质谱碎裂规律的合理性、分子结构特征及基团活性等，为研究该化合物的药效作用机理，以及药物分子的全合成提供理论依据。同时，还利用电喷雾质谱和薄层层析等方法，对含有黄连的传统复方－－一半夏泻心汤进行了初步的考察研究，通过复方中黄连的阴、阳性溶液对比分析，发现在半夏泻心汤中主要的生物碱类化合物，如：小聚碱、巴马汀、药跟碱、黄连碱在复方煎煮过程中在仅仅表现在数量的变化，而没有质的变化，进一步揭示了在半夏泻心汤复方中黄连中的生物碱类化合物的变化规律，为阐明传统复方的药效物质基础提供了科学依据。最后，确定了黄连中生物碱类化合物的毛细管电泳分析的最佳条件，并对黄连中小粟碱化合物进行了定量分析研究，建立了生物碱类化合物毛细管电泳分析的新方法。

Smaller Ge Quantum Dots Obtained by ArF Excimer Laser Annealing

Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) are grown with a self-assembled UHV/CVD epitaxy system. Then,the as-grown Ge quantum dots are annealed by ArF excimer laser. In the ultra-shot laser pulse duration,～20ns, bulk diffusion is forbidden, and only surface diffusion occurs, resulting in a laser induced quantum dot (LIQD). The diameter of the LIQD is 20～25nm which is much smaller than the as-grown dot and the LIQD has a higher density of about 6 × 10~(10)cm~(-2). The surface morphology evolution is investigated by AFM.

（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低，在生长过程中有意提高了V／III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现，表面形貌和光学特性随V／III比和温度的变化非常大。最佳V／IlI比和温度分别为400和625℃。

增益钳制半导体光放大器波长转换的研究

数值模拟了增益钳制SOA(GC-SOA)的波长转换过程,分析了GC-SOA实现波长转换的原理.首次发现了GC-SOA波长转换中类似接通延迟的现象,这种现象将限制GC-SOA在高速波长转换中的应用.

光纤与波导器件的联接技术

文中就如何增大耦合效率和工艺容差的问题作了具体的分析，在此基础上，评述了现有的几种能够获得较低插入损耗的光纤和波导的固定联接技术。

Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator

An ultracompact 3-dB coupler is designed and fabricated in silicon-on-insulator,based on 12 line tapered multimode interference(MMI) coupler.Comparing with the conventional straigth MMI coupler,the device is-40% shorter in length.The device exhibits uniformity of 1.3dB and excess loss of 2.5dB

1．55μm Si基光电探测器的研究进展

从材料的生长、器件结构的选择等方面对1．55μm锗光电探测器的研究进展进行了综述，对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。

在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展

在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点，由于三维量子限制效应的贡献，能够在能带结构上对 Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性，使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强，同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件．文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/ Si量子点生长研究的重要进展，对其潜在的重要应用作出了评述．结合作者自己的研究结果，着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程，指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构，其发光效率比一维量子阱有很大增强．探讨了用模板衬底实现对Ce量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径．

1.55μm偏振不灵敏光放大器结构材料的生长

采用张应变量子阱结构，生长了光放大器材料。利用宽接触激光器TE和TM模的输出功率曲线判断并调整量子阱材料的应变量，得到了偏振灵敏度较低的光放大器结构。

Multimode Interference Couplers with Different Background Refractive Index *

A novel structure of MMI coupler with different background refractive index has been designed. With stronger optical confinement in multimode waveguides, more guided modes are excited to improve imaging quality. Two-dimensional finite difference beam propagation method (2-D FDBPM) was used to simulate this new structure and had proven that its imaging quality, in terms of power uniformity and excess loss, is much better than conventional structure. This structure can be applied in SOI rib waveguides by deep etching method.

N×N集成光开关阵列模型

报道了由2N个1×N多模干涉马赫-曾德尔光开关组成的N×N光开关阵列结构，分析了这种结构的开关阵列优势和局限性。用场传输矩阵方法建立了1×N多模干涉光开关的光场传输方程。给出了光开关阵列从任一输入端输入、从任一输出端正输出时阵列开关的工作条件。在上述原理及理论基础上分析了4×4光开关阵列的结构和工作条件。