在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展
| Data(s) |
2003
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|---|---|
| Resumo |
在Si衬底上自组装生长纳米尺度的Ge量子点，由于三维量子限制效应的贡献，能够在能带结构上对 Si、Ge天然材料的间接带特性实施准直接带结构的改性，使激子行为和带间复合跃迁得到大幅度增强，同时Ge量子点的可控有序相关排列还有助于发展新一代的Si基电子波量子器件．文章回顾了自20世纪80年代末至今Ge/ Si量子点生长研究的重要进展，对其潜在的重要应用作出了评述．结合作者自己的研究结果，着重介绍了Ge量子点的生长动力学及其形态的演变过程，指出自组装生长的Ge/Si量子点属Ⅱ型能带结构，其发光效率比一维量子阱有很大增强．探讨了用模板衬底实现对Ce量子点尺寸和分布的有序可控生长方法与途径． 国家自然科学基金重大项目（批准号：5989626 ）,国家重点基础研究发展计划（批准号：G2 366 3）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
黄昌俊;王启明.在Si衬底上自组装生长Ge量子点研究进展,物理,2003,32(8):528-532 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
