抗艾滋病的药物组合物及其应用

一种抗艾滋病的药物组合物，其中含有抗艾滋病有效量的式（Ⅰ） 化合物β－硝基苯乙烯及可药用载体和／或赋形剂。$上述药物组合物在制备逆转录酶抑制剂药物中的应用；上述药物组合物在制备抗艾滋病药物中的应用.

猕猴大脑神经元多单位电活动室外记录系统

本发明涉及一种猕猴大脑神经元多单位电活动室外记录系统，属神经电生理学领域。该系统由用螺钉固定在猕猴颅骨表面(17)上的微型记录平台(6)及微型记录平台(6)上的装置、通过电缆(5)连接的手提便携式仪器箱(11)组成；微型记录平台(6)上的装置包括微电极微型推进器(3)、分别与电缆(5)连接的动物行为记录摄像机(1)、微型视频眼动记录仪(2)和微电极放大器(4)；与电缆(5)连接的手提便携式仪器箱(11)包括四分频视信号合成仪(7)、主放大器(8)、八合一神经信号单片机处理系统(9)、8mm磁带记录仪(10)该系统具有可以高效地在室外、野外进行猕猴大脑神经元多单位放电记录的优点，还具有体积小、重量轻、抗干扰性强等优点。

黑腹果蝇黑条体突变体突变位点的鉴定

根据果蝇ebony基因的序列设计了一系列特异性引物,对1991年发现的一种黑腹果蝇的新的体色突 变(Qian&Zhang,1994)——黑条体突变型的ebony基因进行克隆和序列测定。与野生型W91910的ebony基因 相比,黑条体突变型的ebony基因的编码区无明显的大片段变异,变异仅存在于数个氨基酸位点,且均不位于 该基因产物的关键序列。在黑条体的ebony基因的5’端序列的克隆和序列测定中发现,与野生型W91910及黑檀体 e’的ebony基因相比,黑条体突变型的ebony基因有一个大片段的缺失,

Se对小麦种子发芽与根伸长抑制的生态毒理效应

采用水培试验研究了Se对小麦发芽时的胁迫效应,并结合土培试验,研究比较了3种土壤(石灰土、红壤、黄棕壤)Se污染对小麦种子发芽率和根伸长的生态毒理效应。结果表明,Se在适量范围内(<0.5mg·L-1)对种子萌发过程中各生理指标有促进作用,高剂量(>5mg·L-1)时,对种子活力、α-淀粉酶及幼苗和根生长具有胁迫效应。对Se浓度与种子发芽各项指标抑制率相关分析,呈显著正相关。按EC25比较,根长抑制率>根干重抑制率>茎叶长抑制率>α-淀粉酶抑制率>发芽抑制率,Se污染对根生长抑制最为敏感。不同土壤对种子发

Broadband Emitting Superluminescent Diodes With InAs Quantum Dots in AlGaAs Matrix

Superluminescent diodes were fabricated by using InAs-AlGaAs self-assembled quantum dots (QDs) as the active region. The ultrawide emitting spectrum of 142 nm was achieved. The short migration length of indium adatoms on AlGaAs surface increases the size dispersion of InAs QDs, resulting in the broadening of optical gain spectrum.

Passive Q-switched mode locking of double-clading Yb : fiber laser with ion-implanted GaAs

We report the technique of the ion-implanted semi-insulating GaAs wafer used for passive Q-switched mode locking in double-cladding Yb:fiber laser. The wafer was implanted with 400-keV energy, 10(16)/cm(2) dose As+ ions, and was annealed at 600degreesC for 20 min. At the pump power of 5W, we achieved output power of 200mW. The repetition rate of envelope of Q-switched mode locking is 50-kHz with a FWHM envelope of 4mus. The repetition rate of mode locked pulse train was found to be 15-MHz. This is the first report of such a kind of laser to the best of our knowledge.

Effects of Ag on electrical properties of Ag/Ni/p-GaN ohmic contact

Properties of the Ag/Ni/p-GaN structure at different temperatures are studied by Auger electron spectroscopy, scanning electron microscopy and high resolution x-ray diffraction. The effect of Ag in ohmic contact on the crystalline quality is investigated and the optimized value of annealing temperature is reported. The lowest specific contact resistance of 2.5 x 10(-4) Omega cm(2) is obtained at annealing temperature of 550 degrees C.

Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition

We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AIN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented.

珊瑚礁区碳循环研究进展

珊瑚礁是海洋中生产力水平最高的生态系统之一，其碳循环受到有机碳代谢（光合作用／呼吸作用）和无机碳

珊瑚骨骼生长研究评述

珊瑚骨骼生长有年、月、日周期,能够当作古生物钟来记录地质历史。块状珊瑚

单纵模布里渊掺铒光纤激光器的实验研究

提出了一种具有多环形腔(MRC)和光纤布拉格光栅可调谐滤波器(FBG-TF)相结合的单纵模布里渊掺铒光纤激光器(BEDFL)。实验中通过观察激光器输出光的拍频信号分析其光谱精细结构,分别讨论了布里渊增益、FBG-TF、MRC对BEDFL单模输出的贡献,给出了激光器的功率特性曲线和波长稳定性测试图。实验得到了在1550 nm处功率为4 dBm,信噪比(SNR)>60 dB,线宽小于1.5 kHz的稳定单纵模输出光。

表面处理对p-GaN欧姆接触的影响

分别用稀盐酸、王水以及(NH_4)_2S溶液处理p-GaN表面,通过测试样品表面Ols的X射线光电子能谱(XPS),比较了这些溶液去除p-GaN表面氧化层的能力;在经不同溶液处理后的样品表面,以相同的条件制作Ni/Au电极,并测试其与p-GaN的比接触电阻,结果表明经稀盐酸处理后的样品表面,由于其氧含量较高,不能与Ni/Au形成良好的欧姆接触,而经王水和(NH_4)_2S溶液处理后的p-GaN表面,能与Ni/Au形成良好的欧姆接触;最后,通过比较样品表面的Ga/N原子浓度比,探讨了王水处理p-GaN表面能够形成良好欧姆接触的原因.

纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池

在较高工作气压(332.5～399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2～5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm~2,25℃).

离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。