离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。 用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4645.pdf: 478065 bytes, checksum: fe5811dcfc7391a8f672e186fc693c32 (MD5) Previous issue date: 2004 中国科学院半导体研究所;南开大学现代光学研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王勇刚;马骁宇;付圣贵;范万德;李强;袁树忠;董孝义;宋晏蓉;张志刚.离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模,物理学报,2004,53(6):1810-1814 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
