低波长漂移的电吸收调制DFB激光器

采用端面有效反射率法，从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器(Electroabsortpion Modulated DFB Laser,EML)的腔面反射率、耦合强度(κL)对其波长漂移的影响。同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果。理论与实验的结果表明

Monolithic Integration DFB Laser Array by Angling Active Stripe and Using Thin-Film Stripe Heater

国家863计划

High Efficiency Al-Free 980 nm InGaAs/ InGaAsP/ InGaP Strained Quantum Well Lasers

于2010-11-23批量导入

增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性

利用增镀光学薄膜的方法，有效地将原来处于双模工作的1.3μm DFB激光器变为单模工作的激光器。选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用。从而改变了激光器的模式特性。实验表明，增镀光学薄膜技术可望成为改善DFB激光器单模成品率的一种辅助方法。

Ultralow Threshold Red Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

国家自然科学基金

Monolithic Integration of DFB Laser Diode and Electroabsorption Modulator by Selective Area Growth Technology

国家863计划

Multi-Wavelength InGaAsP Lasers Grown by LP-MOCVD Selective Area Growth

国家863计划

Monolithic Integration of MQW DFB Laser and EA Modulator in 1.55μm

国家863计划

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用，并减小了限制层的寄生电容；DFB激光器的斜率效率由注入前的0.147mW/mA提高到0.216mW/mA；电容测试结果表明

High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers

于2010-11-23批量导入

InGaAs/GaAs/InGaP Strained quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition

于2010-11-23批量导入

应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成

该文在国内首先报道采用MOVPE技术研制成功了InGaAsP/InP应变补偿型量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成器件，实现了300mW单纵模工作，采用调制光放大器 、静态偏置DFB激光器的方法，产生了低啁啾、高功率的单纵模高频光脉冲。集成器件的研制成功，为其它含介质光栅反射器的光子集成器件的研制开辟了一条广阔的道路。

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μm InGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器，器件采用全MOVPE生长，阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高。