High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers
| Data(s) |
1999
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:11:31导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5592.pdf: 254709 bytes, checksum: 4a0ea7231fa960b0c3be09a09d7ed228 (MD5) Previous issue date: 1999 国家自然科学基金,北京市自然科学基金 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所 国家自然科学基金,北京市自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
英语 |
| Fonte |
Yin Tao;Du Jinyu;Lian Peng;Xu Zuntu;Chen Changhua;Guo Weiling;Liu Ying;Li Shuang;Gao Guo;Zou Deshu;Chen Jianxin;Shen Guangdi;Ma Xiaoyu;Chen Lianghui.High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers,Chinese Journal of Lasers,1999,8(5):397 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
