Ce_(1-x)Ca_xO_(2-x)的溶胶-凝胶法的合成及其性质

用溶胶 -凝胶法合成了 Ce1-x Cax O2 -x(x=0～ 0 .3 5 )系列固体电解质 ,系统地研究了其晶体结构随Ca O含量的变化关系 .XRD测试表明 ,该体系于 1 60℃即形成萤石结构纯相 .高温 XRD表明 ,从室温至80 0℃ ,Ce1-x Cax O2 -x(x=0～ 0 .3 5 )未出现结构相变 .此法合成温度远低于传统的高温固相合成法和水热合成法的温度 .合成物的颗粒小 ,粒度均匀 .在 1 3 0 0℃即可烧结成高致密度样品 .XPS测试表明 ,掺杂 Ca O后吸附氧浓度明显增大 ,氧空位增多 ,电导率和氧离子迁移数增大 ,改善了 Ce O2 基固体电解质的性能 .

Mo掺杂对高纯Ce_(1-x)Nd_xO_(2-x/2)(x=0.10,0.15)体系烧结温度及晶界电性能的影响

用柠檬酸硝酸盐法制备高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10,0.15)固溶体,加入摩尔分数为5%的Mo,研究了Mo掺杂对烧结温度、结构及电性能的影响.通过X射线衍射、电感偶合等离子体和场发射扫描电镜等手段对氧化物进行了结构表征,采用交流阻抗谱测试其电性能.柠檬酸硝酸盐法制备的前驱体经1450℃烧结24 h得到致密度大于96%的陶瓷材料;加入5%Mo,在1250℃下烧结8 h即可达到理想的致密度(>95%).加入Mo在烧结过程中可加快晶界迁移,促进晶粒生长,显著提高了晶界电导率.在600℃时Ce0.85Nd0.15O1.925的晶界电导率为2.56 S/m,加入Mo后材料的电导率增加到5.62 S/m.

Ce_(1-x)Sm_xO_(2-x/2)的溶胶-凝胶法的合成及氧空位的研究

本文利用溶胶-凝胶法合成了Ce_(1-x)Sm_xO_(2-x/2)(x=0-0.4)系列固体电解质,并且系统地研究了其晶体结构随Sm含量的变化关系。XRD表明:该体系从160℃开始即形成了立方萤石结构,且在所研究的组成范围内全部形成了单相固溶体。此温度远低于传统的高温固相合成法所需的温度,同时也较水热合成法的温度低。高温X-ray衍射研究表明直到800℃Ce_(1-x)Sm_xO_(2-x/2)未出现结构相转变,其晶格常数和晶胞体积随温度升高而增大。EPR测试证实了由于Sm~(3+)部分置换Ce~(4+)固溶体中所存在的单电荷缺陷(Sm_(Ce’),V_o~(oo))结构。在固溶体的Raman谱中观察到:纯CeO_2在465cm~(-1)仅有一个Raman振动模式,随着掺杂量的增大,此振动模式向低频方向移动,而且Raman线变宽且在570cm~(-1)附近出现一新的峰,这些变化都是由Sm~(3+)取代Ce~(4+)所产生的氧空位引起的。

(Ce_(0.9)Nd_(0.1))_(1-x)Mo_xO_(2-δ)(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能

采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200℃烧结样品24h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96S·m-1.

(Ce_(0.8)RE_(0.2))_(1-x)M_xO_(2-δ)固体电解质的溶胶-凝胶合成及其电性质

利用溶胶 凝胶法合成了 (Ce0 .8RE0 .2 ) 1-xMxO2 -δ(RE :稀土 ,M :碱土 )系列固体电解质 ,XRD表明 80 0℃即形成萤石结构 ,较高温固相反应合成温度低约 70 0℃ .测定了样品的电导率和阻抗谱 .XPS测试表明 ,掺杂碱土氧化物后吸附氧浓度明显增大 ,氧空位增多 ,电导率和氧离子迁移数增大 ,改善了CeO2 基固体电解质的性能 .讨论了碱土及稀土离子对电性质的影响 .(Ce0 .8Sm0 .2 ) 1-0 .0 5 Ca0 .0 5 O2 -δ80 0℃时电导率0 1 2 6S·cm-1,氧离子迁移数 0 .99.

巨磁电阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)Mn(O_(1-x),F_x)_3的研究

主要采用了X射线衍射、Mossbauer谱、磁测量等方法系统研究了块体巨磁电阻材料La_(2/3)Ca_(1/3)Mn_(1-x)Fe_xO_3在不同铁含量(0≤x≤0.84)时结构、性能、磁性的变化，并给予合理的解释。在0

MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg（1-x）CdxTe体系

对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响.

Why [6,6]- and 1,2-Benzal-3-N-4-O-Cyclic Phenylimidate C-60 Undergo Electrochemically Induced Retro-Addition Reactions while 1,4-Dibenzyl-2,3-Cyclic Phenylimidate C-60 Does Not? C-H center dot center dot center dot X (X = N, O) Intramolecular Interactions in Organofullerenes

The electrochemical properties of a series of structurally related fullerooxazoles, [6,6] cyclic phenylimidate C-60 (1), 1,2-benzal-3-N-4-O-cyclic phenylimidate C-60 (2), and 1,4-dibenzyl-2,3-cyclic phenylimidate C-60 (3), are described, and the spectroscopic characterizations of their anionic species are reported. The results show that compounds I and 2 undergo retro-cycloaddition reactions that lead to the formation of C-60 and C61HPh, respectively, upon two-electron-transfer reduction. However, compound 3 demonstrates much more electrochemical stability as no retro-cycloaddition reaction occurs under similar conditions. Natural bond orbital (NBO) calculations on charge distribution show there is no significant difference among the dianions of 1, 2, and 3, indicating that the electrochemical stability of 3 is unlikely to be caused by the charge distribution difference of the dianions of three compounds. Examination on the crystal structure of compound 3 reveals close contacts of the C-H group with the heteroatoms (N and O) of cyclic phenylimidate, suggesting the existence of C-H center dot center dot center dot X (X = N, O) intramolecular hydrogen bonding among the addends, which is further confirmed by NBO analysis.

The structure and electrochemical characteristics of La0.67Mg0.33 (Ni0.8Co0.1Mn0.1)(x) (x=2.5-5.0) multiphase alloys for nickel-metal hydride batteries

This paper presents results concerning structure and electrochemical characteristics of the La0.67Mg0.33 (Ni0.8Co0.1Mn0.1) (x) (x=2.5-5.0) alloy. It can be found from the result of the Rietveld analyses that the structures of the alloys change obviously with increasing x from 2.5 to 5.0. The main phase of the alloys with x=2.5-3.5 is LaMg2Ni9 phase with a PuNi3-type rhombohedral structure, but the main phase of the alloys with x=4.0-5.0 is LaNi(5)phase with a CaCu5-type hexagonal structure. Furthermore, the phase ratio, lattice parameter and cell volume of the LaMg2Ni9 phase and the LaNi5 phase change with increasing x. The electrochemical studies show that the maximum discharge capacity increases from 214.7 mAh/g (x=2.5) to 391.1 mAh/g (x=3.5) and then decreases to 238.5 mAh/g (x=5.0). As the discharge current density is 1,200 mA/g, the high rate dischargeability (HRD) increases from 51.1% (x=2.5) to 83.7% (x=3.5) and then decreases to 71.6% (x=5.0). Moreover, the exchange current density (I-0) of the alloy electrodes first increases and then decrease with increasing x from 2.5 to 5.0, which is consistent with the variation of the HRD. The cell volume reduces with increasing x in the alloys, which is detrimental to hydrogen diffusion and accordingly decreases the low-temperature dischargeability of the alloy electrodes.

1 x 4 Ge-on-SOI PIN Photodetector Array for Parallel Optical Interconnects

High-quality Ge film was epitaxially grown on silicon on insulator using the ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. In this paper, we demonstrated that the efficient 1 4 germanium-on-silicon p-i-n photodetector arrays with 1.0 mu m Ge film had a responsivity as high as 0.65 A/W at 1.31 mu m and 0.32 A/W at 1.55 mu m, respectively. The dark current density was about 0.75 mA/cm(2) at 0 V and 13.9 mA/cm(2) at 1.0 V reverse bias. The detectors with a diameter of 25 mu m were measured at 1550 nm incident light under 0 V bias, and the result showed that the 3-dB bandwidth is 2.48 GHz. At a reverse bias of 3 V, the bandwidth is about 13.3 GHz. The four devices showed a good consistency.

液结Hg_(1-x)CaxTe太阳能电池的研究

多晶富镉HerxCdsoTe的电阻率较低，禁带宽度可调，是一种很有希望的半导体光电转换材料。本论文通过对Hg_(1-x)CdxTe(MCT)电沉积的研究，找出了多晶富镉MCT电况积的最佳条件，并对它的结构，组份以及在多硫体系溶液的光电化学性能进行了研究，观察到良好的光响应，在此基础上，进一步深入地研究了不同X值的系列MCT电极的结构，性能。结果表明，不同X值的系列MCT具有相同的闪锌矿型晶体结构，多晶晶粒大小，分布，形态等均没有明显的变化。但随着1－X值的增大，MCT的电导率增高，在多硫电解液中的短路光电流大大上升，但开路光电压却有所下降，这与φ_(fb)随1－X的升高而正移这一实验事实是一致的。即开路光电压的下降是由φ_(fb)的正移，由光谱响应实验得到的Eg值表明：当MCT中的汞含量增大（1-X值升高），禁带宽度下降.经分析，导致Eg变窄的因素在于Ec位置的下降，价带Ev的位置基本保持不变。过高的表面态密度和施主掺杂浓度，大大降低了MCT电极在多硫体系溶液中的Voc,Isc,η,FF。本实验中，未经任何处理MCT沉积膜在多硫电解液中的Voc可达300mV, Isc为3.55mAcm~(-2)，η达0.43%.对MCT／多硫体系在光照下的稳定性进行了热力学分析，表明此体系易于分解，不是稳定体系，实验结果证实了这一点。为了解决以上存在的问题，本论文分别探索了能够影响电极性能的几个因素。MCT的退火处理能够增大多晶晶粒，减少晶粒间界，使Isc大大提高。采用Ni或650 ℃热处理后的Ti作基底呈现出较好的光活性，它的短路光流Isc。开路光电压Voc等比使用经10％HF浸刻的Ti作基底要提高数倍。与多硫体系相比，MCT电极在Fe(CN)_6~(4-)/Fe(CN)_6~(3-)体系中的Voc, Isc提高近二倍，但填充因子F，F未能得到改善。单晶HgIn_2S_4是有明显的n型半导体特征，由光谱响应实验确定出它的禁带宽度为2.0eV，与太阳光谱匹配差。在光极化特性测量中，暗态扫描与光刻至关得要，它能使电极在多硫体系中的光电流提高十多倍。在这种体系HgIn_2S_4的功率效率η=0.1%。稳定性实验表明单晶HgIn_2S_4在多硫体系中的光腐蚀小，光电流稳定。

钙钛石型复合氧化物La_xSr_(1-x)M_yM'_(1-y)O_3(M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和催化性能的研究

钙钛石型复合氧化物由于具有许多独特的物理化学性质，如多种类型的磁性和导电性、对多种物理和化学因素的敏感性、高温下的稳定性和结构的明确易调性等长期以来一直受到固体物理、固体化学和催化科技工作者重视，本文第一部分详细总结了文献中有关这类氧化物的结构、电子状态、电磁性质、表面吸附性能、稳定性以及反应机理和催化性能等方面的重要结果。第二部分为催化剂的制备和表征方法。第三部分针对文献中研究较少的B位取代钙钛石型氧化物，系统研究了系列化合物LaM_yM'_(1-y)O_a (M, M' = Mn, Fe, Co)的固体物理化学性质和对NH3和CO氧化反应的催化性能，讨论了它们之间的关系。1. 催化剂的制备、晶体结构与光谱性质。2. LaM_yM'_(1-y)O_3(M、M' = Mn、Fe、Co)r的氧化还原性质和稳定性。3. 过渡金属离子的状态及其之间的相互作用。4. 催化剂中氧的形态。5. 氨氧化性能与固体物化性质之间的关系。6. 一氧化碳氧化与固体物化性质之间的关系。

GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构

详细讨论了GaAs/Al_xGa_(1-x)As球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正.另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好.结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.

A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications

A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device(with an emitter area of about 880μm~2)was fabricated with 2μm double-mesa technology.The maximum DC current gain β is 214.The BV_(CEO) is up to 10V,and the BV_(CBO) is up to 16V with a collector doping concentration of 1×10~(17)cm~(-3) and collector thickness of 400nm.The device exhibits a maximum oscillation frequency f_(max) of 19.3GHz and a cut-off frequency f_T of 18.0GHz at a DC bias point of I_C=30mA and V_(CE)=3V.MSG(maximum stable gain)is 24.5dB,and U(Mason unilateral gain)is 26.6dB at 1GHz.Due to the novel distribution layout,no notable current gain fall-off or thermal effects are observed in the I-V characteristics at high collector current.

磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究

采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构.