磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
采用离子束技术,在n型硅基片上注入稀土元素钆,制备了磁性/非磁性p-n结.本文中使用的XPS对制备的样品进行测试,利用Origin 7.0提供的PFM工具进行研究,O1s束缚能介于金属氧化物和SiO_2中O1s的束缚能之间,Si2p的XPS谱分裂为两个峰,其中一个是单质Si的,另一个介于单质Si和硅化物之间,Gd4d的束缚能介于金属钆和氧化钆中的Gd4d之间,说明Gd_xSi_(1-x)形成了无定形结构. 国家973资助项目,国家自然科学基金委员会资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘志凯;周剑平;柴春林;杨少延;宋书林;李艳丽;陈诺夫.磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究,真空科学与技术学报,2004,24(2):154-156 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
