GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构
| Data(s) |
2008
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| Resumo |
详细讨论了GaAs/Al_xGa_(1-x)As球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正.另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好.结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导. 详细讨论了GaAs/Al_xGa_(1-x)As球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正.另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好.结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:01:09导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3937.pdf: 526753 bytes, checksum: 21a7127666c65d46096706f0574b3690 (MD5) Previous issue date: 2008 国家自然科学基金（批准号 中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金（批准号 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王传道.GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构,物理学报,2008,57(2):1091-1096 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
