SIGNATURES OF NEW PHYSICS FROM HBT CORRELATIONS IN UHECRS

Quantum fields written on noncommutative spacetime (Groenewold-Moyal plane) obey twisted commutation relations. In this paper we show that these twisted commutation relations result in Hanbury-Brown Twiss (HBT) correlations that are distinct from that for ordinary bosonic or fermionic fields, and hence can provide useful information about underlying noncommutative nature of spacetime. The deviation from usual bosonic/fermionic statistics becomes pronounced at high energies, suggesting that a natural place is to look at Ultra High Energy Cosmic Rays (UHECRs). Since the HBT correlations are sensitive only to the statistics of the particles, observations done with UHECRs are capable of providing unambiguous signatures of noncommutativity, with-out any detailed knowledge of the mechanism and source of origin of UHECRs.

气源分子束外延生长SiGe/Si材料的性质及HBT器件应用

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

SiGe/Si 射频功率HBT 器件的研制

Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z

Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD

AlGaN/GaN npn heterojunction bipolar transistor structures were grown by low-pressure MOCVD. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurements were carried out to study the Mg memory effect and redistribution in the emitter-base junction. The results indicated that there is a Mg-rich film formed in the ongrowing layer after the Cp2Mg source is switched off. The Mg-rich film can be confined in the base section by switching off the Cp2Mg source for appropriate time before the end of base growth. Low temperature growth of the undoped GaN spacer suppresses the Mg redistribution from Mg rich film. The delay rate of the Mg profile in sample C with spacer growing in low temperature is about 56 nm/decade, which becomes sharper than 80 nm/decade of the samples A and B without low temperature spacer. (C) 2005 Elsevier Ltd. All rights reserved.

The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure

An AlGaN/GaN HBT structure was grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrate. From the high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it was indicated that the structure is of good quality and the AlGaN/GaN interfaces are abrupt and smooth. In order to obtain the values of Si doping and electronic concentrations in the AlGaN emitter and GaN emitter cap layers, Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and electrochemical CV measurements were carried out. The results showed that though the flow rate of silane (SiH4) in growing the AlGaN emitter was about a quarter of that in growing GaN emitter cap and subcollector layer, the Si sputtering yield in GaN cap layer was much smaller than that in the AlGaN emitter layer. The electronic concentration in GaN was about half of that in the AlGaN emitter layer. It is proposed that the Si, Al co-doping in growing the AlGaN emitter layer greatly enhances the Si dopant efficiency in the AlGaN alloy. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co KGaA, Weinheim.

Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.

GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料

用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料。采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管。在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz。给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺。

HBT sexualitet : -ur ett explorativt sociologiskt maktperspektiv

I denna uppsats har vi använt oss av ett sociologiskt maktperspektiv där vi explorativt har undersökt om HBT kan ses som ett fält där olika medlemmar/personer strider om makt, resurser och status inom fältet. Vidare har vi undersökt vilken betydelse organisering har inom fältet och om/hur detta påverkar identitetsskapandet hos människor med en HBT sexualitet. Begreppet HBT står för homosexuella, bisexuella och transpersoner. Homosexualitet och bisexualitet är båda sexuella läggningar. Ordet transpersoner handlar om könsidentitet och könsuttryck och är ett paraplybegrepp till vad som innefattas av transexuella och intersexuella personer.Våra teman som vi har arbetat utefter är; könsnormen som uttryck för makt och disciplinering, biologi eller social konstruktion, fältet och dess innehåll: kapital och habitus samt makt i form av resurser, kontexter och diskurser. Vi har även utformat en hypotes och mothypotes utifrån vår egna förförståelse och hur vi tror att makten ser ut inom HBT som grupp. Vi har i vår undersökning kommit fram till att HBT som grupp inte är jämställda inom gruppen, att makten skiljer sig åt mellan homo-, bi- och transpersoner, där den maskulina bögen premieras vilket vi kan se stämmer överrens med de patriarkala könsnormerna som genomsyrar HBT som grupp liksom samhället för övrigt. Eftersom att graden av organisering påverkas av möjligheterna till identifikation med varandra inom gruppen så tror vi att HBT som grupp inte är så starka som de utåt påvisar. Detta visas tydligt i de bisexuellas och transexuellas mindre möjligheter till makt och status inom gruppen. Vi anser att HBT gruppen kan ses som ett fält och inom detta fält förekommer strider om makt, kapital samt status, både inom gruppen och för normalisering i samhället.

Det som inte syns, finns inte : En kvalitativ studie om kunskap, heteronormativitet och diskriminering av HBT-personer på äldreboenden

Syftet var att studera vilka kunskaper enhetschefer och personal inom äldreomsorgen har om äldre personer med en annan sexuell läggning än den rådande heteronormativa. Syftet var även att förstå hur heteronormativitet ser ut inom äldreomsorgen samt att undersöka om diskriminering sker. I studien har en kvalitativ metod i form av fallstudie använts. Intervjuer med sex enhetschefer på äldreboenden har genomförts. Som teoretisk tolkningsram har heteronormativitet samt diskriminering använts. I studien framkommer att ett heteronormativt synsätt gentemot äldre heterosexuella, bisexuella och transpersoner (HBT-personer) finns samt att strukturell diskriminering råder. Enhetscheferna i studien har inte några specifika kunskaper om HBT-personer, deras livsstil, levnadsvillkor eller eventuell problem. Intervjupersonernas kunskap baseras på egna erfarenheter av HBT-personer i den privata sfären. Vidare framkommer att enhetscheferna anser att samhället är öppet för personer med en annan sexuell läggning än den rådande heteronormativa och av den anledningen behövs ingen vidare kunskap. I och med den öppna attityden i samhället menar enhetscheferna också att deras personal gör ett bra arbete med alla personer som bor på äldreboendena.

HBT interferometry: historical perspective

I review the history of HBT interferometry, since its discovery in the mid 1950's, up to the recent developments and results from BNL/RHIC experiments. I focus the discussion on the contributions to the subject given by members of our Brazilian group.

Possible origin of RHIC Rout/Rsid HBT results

The effects of opacity of the nuclei together with a blackbody type of emission along the system history are considered as a means to explain the ratio Rout/Rsid observed by STAR and PHENIX collaborations at RHIC. Within our model, no flow is required to explain the data trend of this ratio for large surface emissivities. © 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Diseño de un amplificador distribuido para ultra wide band basado en HBT de la tecnología SIGE 0.35 μm de AMS

Memoria y presentación del Proyecto Fin de Carrera titulado "DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DISTRIBUIDO PARA ULTRA WIDE BAND BASADO EN HBT DE LA TECNOLOGÍA SIGE 0.35 μm DE AMS"

A study of frequency response in silicon heterojunction bipolar transistors with amorphous silicon emitters

A detailed physical model of amorphous silicon (aSi:H) is incorporated into a twodimensional device simulator to examine the frequency response limits of silicon heterojunction bipolar transistors (HBT's) with aSi:H emitters. The cutoff frequency is severely limited by the transit time in the emitter space charge region, due to the low electron drift mobility in aSi:H, to 98 MHz which compares poorly with the 37 GHz obtained for a silicon homojunction bipolar transistor with the same device structure. The effects of the amorphous heteroemitter material parameters (doping, electron drift mobility, defect density and interface state density) on frequency response are then examined to find the requirements for an amorphous heteroemitter material such that the HBT has better frequency response than the equivalent homojunction bipolar transistor. We find that an electron drift mobility of at least 100 cnr'V"'"1 is required in the amorphous heteroemitter and at a heteroemitter drift mobility of 350 cm2 · V1· s1 and heteroemitter doping of 5×1017 cm3, a maximum cutoff frequency of 52 GHz can be expected. © 1996 IEEE.