Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.

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福建省青年科技人才创新基金(2 4J 21),国家自然科学基金(6 676 27,5 672 79),福建省科技重点项目(2 6H 36)

厦门大学物理系,半导体光子学研究中心;中国科学院半导体研究所

福建省青年科技人才创新基金(2 4J 21),国家自然科学基金(6 676 27,5 672 79),福建省科技重点项目(2 6H 36)