Alloy inhomogeneities in InAlAs strained layers grown by MBE

Transmission electron microscopy studies have been performed to characterize InxAl1−xAs layers grown by molecular beam epitaxy on (100) InP substrates. The first observations of compositional nonuniformities in strained InAlAs layers are reported. The coarse quasiperiodic structure present in each sample has been found to be dependent upon the growth parameters and the sample characteristics.

Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate

Cubic GaN layers are grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrates. Optical micrographs of the GaN epilayers intentionally grown at Ga excess reveal the existence of surface irregularities such as bright rectangular structures, dark dots surrounded by rectangles and dark dots without rectangles. Micro-Raman spectroscopy is used to study the structural properties of these inclusions and of the epilayers in greater detail. We conclude that the observed irregularities are the result of a melting process due to the existence of a liquid Ga phase on the growing surface.

Understanding the selective area growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

The influence of the substrate temperature, III/V flux ratio, and mask geometry on the selective area growth of GaN nanocolumns is investigated. For a given set of growth conditions, the mask design (diameter and pitch of the nanoholes) is found to be crucial to achieve selective growth within the nanoholes. The local III/V flux ratio within these nanoholes is a key factor that can be tuned, either by modifying the growth conditions or the mask geometry. On the other hand, some specific growth conditions may lead to selective growth but not be suitable for subsequent vertical growth. With optimized conditions, ordered GaN nanocolumns can be grown with a wide variety of diameters. In this work, ordered GaN nanocolumns with diameter as small as 50 nm are shown.

Room temperature absorption in laterally biased Quantum Infrared Detectors fabricated by MBE regrowth

In this paper, we show room temperature operation of a quantum well infrared photodetector (QWIP) using lateral conduction through ohmic contacts deposited at both sides of two n-doped quantum wells. To reduce the dark current due to direct conduction in the wells, we apply an electric field between the quantum wells and two pinch-off Schottky gates, in a fashion similar to a field effect device. Since the normal incidence absorption is strongly reduced in intersubband transitions in quantum wells, we first analyze the response of a detector based on quantum dots (QD). This QD device shows photocurrent signal up to 150 K when it is processed in conventional vertical detector. However, it is possible to observe room temperature signal when it is processed in a lateral structure. Finally, the room temperature photoresponse of the QWIP is demonstrated, and compared with theory. An excellent agreement between the estimated and measured characteristics of the device is found

Efficient phosphor-free, white light emission from ordered arrays of GaN/InGaN nanocolumnar LEDs grown by Selective Area MBE

We fabricate and characterize novel LEDs based on InGaN/GaN nanocolumns grown on patterned substrates, leading to the periodically ordered growth of emitters directly producing white light

Understanding the Selective Area Nucleation and Growth of GaN nanocolumns by MBE using Ti nanomasks

•Self- assembled Ga(In)N Nanorods and Nanostructures •Ordered growth of GaN Nanorods: masks issues •Ordered growth of GaN Nanorods: mechanisms •White NanoLEDs

MBE growth and characterization of InGaN-based films and nanocolumns on Silicon substrates and GaN templates

InN layers: MBE growth issues Growth of InN-based thin films: InN/InGaN QWS on GaN Growth of InN-based nanorods ● Self Self-assembled assembled InN InN nanorods nanorods onon different different substrates substrates ● Self-assembled InGaN nanorods ● Broad- Broad-emission emission nanostructures ● Self Self--assembled assembled InGaN InGaN--based based Qdisks Qdisks ● Selective area growth (SAG) of InGaN Qdisks

Advances on MBE selective area growth of III-nitride nanostructures: from nanoLEDs to pseudo substrates

The aim of this work is to provide an overview on the recent advances in the selective area growth (SAG) of (In)GaN nanostructures by plasma assisted molecular beam epitaxy, focusing on their potential as building blocks for next generation LEDs. The first three sections deal with the basic growth mechanisms of GaN SAG and the emission control in the entire ultraviolet to infrared range, including approaches for white light emission, using InGaN disks and thick segments on axial nanocolumns. SAG of axial nanostructures is eveloped on both GaN/sapphire templates and GaN-buffered Si(111). As an alternative to axial nanocolumns, section 4 reports on the growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures on an ordered array of top-down patterned GaN microrods. Finally, section 5 reports on the SAG of GaN, with and without InGaN insertion, on semi-polar (11-22) and non-polar (11-20) templates. Upon SAG the high defect density present in the templates is strongly reduced as indicated by a dramatic improvement of the optical properties. In the case of SAG on nonpolar (11-22) templates, the formation of nanostructures with a low aspect ratio took place allowing for the fabrication of high-quality, non-polar GaN pseudo-templates by coalescence of these nanostructures.

Atomic scale characterization of Mn doped InAs/GaAs quantum dots

Several growth procedures for doping InAs/GaAs quantum dots (QDs) with manganese (Mn) have been investigated with cross-sectional scanning tunneling microscopy. It is found that expulsion of Mn out of the QDs and subsequent segregation makes it difficult to incorporate Mn in the QDs even at low growth temperatures of T=320 degrees C and high Mn fluxes. Mn atoms in and around QDs have been observed with strain and potential confinement changing the appearance of the Mn features.

Proliferação das rupturas paradigmáticas: o caso da medicina baseada em evidências

O presente trabalho descreve o fenômeno da proliferação das rupturas paradigmáticas publicadas na literatura biomédica. É discutida a distorção que, com o passar das décadas, atribuiu um sentido oposto ao original proposto por Thomas Khun. Na sua grande maioria percebemos que essas pseudo-rupturas se relacionam meramente a detalhes técnicos ligados a contextos específicos. Destaca-se o caso da medicina baseada em evidências (MBE), anunciada como uma dessas rupturas, em cuja essência se reafirmam antigas concepções. Alguns equívocos conceituais são enfatizados como tentativas de aplicar os pressupostos da MBE a fenômenos ligados à subjetividade e à dinâmica social, além de outros objetos de estudo peculiares às ciências sociais. São citadas 12 metanálises inconclusivas, que originam paradoxos quando estudados por esta via. A crítica a alguns aspectos da MBE é sintetizada pelo de seu efeito de confundimento epistemológico. Há imprecisões conceituais do termo relacionadas ao efeito de "entrincheiramento", ao qual são induzidos outros modelos epistemológicos não alinhados, assim como a tendência à compreensão universal dos fenômenos pela perspectiva dos estudos duplo-cego randomizados.

An Extension of Gompertzian Growth Dynamics Weibull and Frechet Models

In this work a new probabilistic and dynamical approach to an extension of the Gompertz law is proposed. A generalized family of probability density functions, designated by Beta* (p, q), which is proportional to the right hand side of the Tsoularis-Wallace model, is studied. In particular, for p = 2, the investigation is extended to the extreme value models of Weibull and Frechet type. These models, described by differential equations, are proportional to the hyper-Gompertz growth model. It is proved that the Beta* (2, q) densities are a power of betas mixture, and that its dynamics are determined by a non-linear coupling of probabilities. The dynamical analysis is performed using techniques of symbolic dynamics and the system complexity is measured using topological entropy. Generally, the natural history of a malignant tumour is reflected through bifurcation diagrams, in which are identified regions of regression, stability, bifurcation, chaos and terminus.

Nova Abordagem ao Diagnóstico da Sindroma de Alport: Pesquisa da Cadeia α5 do Colagénio Tipo IV na Pele

Em 2000, os autores iniciaram no Serviço de Nefrologia do Hospital de Curry Cabral, um protocolo de avaliação do papel do estudo imunopatológico da biópsia cutânea no diagnóstico da Sindroma de Alport (SA). A SA é uma doença hereditária, secundária a um defeito do colagénio tipo IV (col. IV), principal componente das membranas basais. O col. IV é constituído por 6 cadeias distintas (α1 a α6). A cadeia α5 está presente nas membranas basais glomerulares e da epiderme (MBE). Em cerca de 85% dos casos de SA (forma de transmissão ligada ao cromossoma X) verifica-se uma alteração da cadeia α5, com consequente ausência ou intermitência desta cadeia, na MBE. O objectivo deste trabalho foi pesquisar a presença da cadeia α5 do col. IV na MBE, e consequentemente avaliar o papel da biópsia cutânea no diagnóstico da SA. Para o efeito estudámos as biópsias cutâneas de dezanove indivíduos pertencentes a seis famílias distintas. Em cada uma das famílias havia pelo menos um indivíduo com história de SA. As biópsias cutâneas foram avaliadas por método de imunofluorescência indirecta, com antisoros dirigidos às cadeias α1, α3 e α5 do col. IV. No padrão normal há a presença das cadeias α5 e α1 e ausência de α3 na MBE.Verificou-se a ausência de α5 na MBE em quatro homens com SA enquanto que um caso de SA apresentou um padrão positivo. Nas mulheres com SA verificámos a intermitência da α5. Nas sintomáticas, mas sem doença, obtivémos um padrão de intermitência da α5 em três casos e um padrão positivo em três casos. Nas três mulheres assintomáticas, os padrões foram igualmente positivos. Em todos os espécimes biópticos verificou-se a presença de α1 (controlo positivo) e a ausência de α3 (controlo negativo). Realçamos o valor da biópsia cutânea no diagnóstico da SA. Este método é particularmente relevante no homem, onde a ausência da α5 na MBE determina o diagnóstico da SA com forma de transmissão ligada ao cromossoma X. Nas mulheres verificam-se dois padrões possíveis, positivo ou intermitente. A intermitência estará relacionada com a presença de SA ou estado portador. Assim consideramos que a biópsia cutânea deverá ser o primeiro passo na marcha diagnóstica para a SA em qualquer doente em que se suspeite desta patologia.

O fluxo da informação na prática clínica dos médicos residentes: análise na perspectiva da medicina baseada em evidências

Pesquisa que analisa o fluxo da informação na prática clínica dos médicos residentes. Para tal, considera os preceitos da medicina baseada em evidências (MBE) e elege como lócus de pesquisa o Hospital Universitário da UFSC e como universo os médicos residentes atuantes nos seus ambulatórios. A relevância do desenvolvimento da pesquisa está amparada em alguns argumentos: reconhecimento da MBE na prática clínica como alternativa para dar suporte à decisão clínica, através da seleção das fontes de informação de maior evidência disponíveis na literatura médica; constatação que há lacuna na literatura nacional para estudos com médicos residentes, uma vez que a maioria das pesquisas enfoca a forma como médicos e professores da área de saúde usam os sistemas e serviços de informação; convicção que o uso de informação selecionada de forma criteriosa possibilitará uma prática clínica mais eficaz. A pesquisa identificou e analisou os processos envolvidos no fluxo informacional na prática clínica do médico, sob as perspectivas de seleção, acesso, recuperação e uso das fontes de informação. Apresenta um modelo de fluxo de informação ideal na perspectiva da MBE.