西夫韦肽和盐肤木提取物体外抗HIV 活性及机制研究

本论文主要由3 个相对独立的部分组成: 西夫韦肽抗HIV 活性机制研究及其 联合用药和耐药性研究，盐肤木提取物及其化合物抗HIV 活性机制研究和精子 顶体反应抑制剂AGB 抗HIV 活性及机制研究。 HIV 侵入抑制剂是抗HIV 药物研发的热点。该类抑制剂靶定在病毒复制周 期早期，为HARRT 疗法提供了更多新的药物组合，且该类抑制剂对临床中已产 生的耐药毒株也有较好的抑制作用。目前FDA 批准上市的侵入抑制剂仅有T-20， 急需开发新一类的HIV-1 侵入抑制剂。西夫韦肽是由36 个氨基酸组成的多肽， 我们对西夫韦肽进行了一系列体外抗HIV 药效学的实验来研究西夫韦肽体外抗 HIV 活性以及作用机制。实验结果表明西夫韦肽对多种HIV 宿主细胞毒性小， 可以有效抑制HIV-1IIIB 诱导的C8166 细胞的病变效应，EC50 值仅为7.8ng/ml ， TI 值大于 384,615;在不同的检测方法中，西夫韦肽均表现出了比T-20 更好的抑 制活性，EC50 值低了13-42 倍。在对HIV-1 临床分离株、耐药株、两株HIV-2 毒株和SIVmac239 的抑制活性研究表明西夫韦肽也可以很好地抑制 HIV-1 临床株 HIV-1KM018 的复制，EC50 值低至4.4ng/ml，对耐药株HIV-174V、HIV-2 和 SIVmac239 的复制也均有较好的抑制作用。 在机制研究中，我们发现西夫韦肽极有效地抑制HIV-1慢性感染H9细胞与 正常C8166细胞间的融合作用，EC50 低至0.4ng/ml，表明西夫韦肽可以以极低的 浓度有效抑制HIV进入宿主细胞。用GST-pull down 实验进一步验证了西夫韦肽 和T-20可以很好地与HR1结合而不能与HR2结合，作用机制就是特异地与gp41的 HR1结合从而抑制了6-Helix的形成，阻断了HIV的融合过程。由于HIV的高变异 性，单一药物治疗容易产生耐药性，最终导致治疗失败。因此在新药开发中进行 药物与作用靶不同的已上市药物体外联合用药和耐药性研究是非常必要的，将对 临床应用有指导意义，我们的实验结果表明西夫韦肽与AZT联合用药体外抗HIV-1作用较单独用药好，不同检测方法联合用药比单独使用西夫韦肽的效果好 8.3-9.4倍；耐药性研究表明其体外诱导耐药性产生的时间与T-20相仿，与T-20有 交叉耐药。 我国传统的中医药是个巨大的宝库，有丰富的临床经验，中医药治疗艾滋病 有着一定的潜力。从我国国情出发，利用中医药的独特性及经济性，开发传统的 具有我国特色的艾滋病治疗天然药物成为AIDS 防治工作的当务之急。盐肤木是 中国的本土植物，在我国民间用作传统医药有着悠久的历史。盐肤木茎提取物尤 其是石油醚提取部分RC-1 具有较好的抗HIV 活性，且作用于病毒复制周期的后 期，从中分离得到的化合物1、2、4、5 和6 都是RC-1 的活性成份；盐肤木茎 提取物乙酸乙酯提取物RC-2 中也有较好的抗HIV 作用，其中的化合物8、9、 10 和13 是抗HIV 的活性成分，且作用机制各不相同，这些有效化合物的抗HIV 机制值得进一步的研究。 杀微生物剂是一种局部用药于阴道或宫颈的药物制剂，由女性自主控制防止 性传播疾病病原体包括HIV 的感染，是近年来的研究热点之一。AGB(4`-乙酰胺 苯基 4-胍基苯甲酸酯)是顶体酶的抑制剂，我们的实验表明AGB 有很好的杀精 子作用，还具有体外抗HIV-1 的作用，作用机制主要是阻断HIV-1 进入细胞。

WELL-WIDTH DEPENDENCE OF THE EXCITON LIFETIME IN GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELLS

The dependence of the excitonic lifetime on the well width has been studied in conventional GaAs/AlGaAs quantum wells. Two clearly different variations of the measured excitonic lifetime have been observed. For wide well widths, we find a nearly linear decrease of the lifetime with decreasing well width. However, when the well is further decreased, a saturation and even increase of the lifetime with decreasing well width are observed. The experimental data are compared with the theory of radiative excitonic recombination, and show that well width dependence of the measured photoluminescence lifetime can be attributed mainly to the change of the excitonic effective volume and the overlap integral as well.

Microstructure studies of PdGe/Ge ohmic contacts to n-type GaAs formed by rapid thermal annealing

A low resistance and shallow ohmic contact to n-GaAs is performed by using Ge/Pd/GaAs trilayer structure and rapid thermal annealing process. The dependence of specific contact resistivity on the temperature of rapid thermal annealing is investigated. A good ohmic contact is formed after annealing at 400-500 degrees C for 60 s. The best specific contact resistivity is 1.4 x 10(-6) Omega cm(2). Auger electron spectroscopy (AES), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and scanning electron microscopy (SEM) are used to analyze the interfacial microstructure. A strong correlation between the contact resistance and the film microstructure is observed.

Band structure parameters of zinc-blende GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN

The electronic properties of wide energy gap zinc-blende structure GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN are investigated using the empirical pseudopotential method. Electron and hole Effective mass parameters, hydrostatic and shear deformation potential constants of the valence band at Gamma and those of the conduction band at Gamma and X are obtained. The energies of Gamma, X, L conduction valleys of Ga1-xAlxN alloy versus Al fraction x are also calculated. The information will be useful for the design of lattice mismatched heterostructure optoelectronic devices in the blue light range.

高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作

在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅.采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作了刻蚀深度为565 nm和935 nm的起伏型高阶布拉格光栅,测试表明,在1540～1640 nm波长范围内,得到了大于10 dB的消光比,实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果.理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数,以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗.

HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征

使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法，在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口，在窗口区域中露出衬底，然后使用氢化物气相外延（HVPE）方法选区外延GaN薄膜．采用光学显微镜、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）和喇曼谱测试（Raman shift）对薄膜进行分析．结果表明，在c面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的，厚度约20μm的GaN薄膜，当窗口面积为100μm×100μm时，GaN表面无裂纹；而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时，GaN表面有裂纹．随着窗口面积的减小，GaN双晶衍射摇摆曲线的（0002）峰的半高宽（FwHM）减小，表明晶体的质量更好，最小的半高宽为530″，从正方形窗口区的角上到边缘再到中心，GaN的面内压应力逐渐减小，分析认为这与GaN横向外延区（ELO区）与SiO2掩膜之间的相互作用，以及窗口区到ELO区的线位错的90°扭转有关．

分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性

研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.

SOI CMOS模拟集成电路发展概述

从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点.

InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究

降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法，本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上，经过钝化和低温两个特殊工艺条件，在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN，形成表面形貌的起伏，进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明