SOI CMOS模拟集成电路发展概述
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点. 从SOI CMOS模拟集成电路(IC)中存在的关键问题--浮体效应--及其影响出发,介绍了在解决浮体效应以后,已实现的有代表性的模拟集成电路的发展状况.特别指出了SOICMOS在实现RF电路及SOC芯片中的优点. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4759.pdf: 271962 bytes, checksum: 30fb6a0978f880c07db31f2acced30d3 (MD5) Previous issue date: 2004 中国科学院,半导体研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘忠立.SOI CMOS模拟集成电路发展概述,微电子学,2004,34(4):384-389 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
