分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性
| Data(s) |
2005
|
|---|---|
| Resumo |
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差. 研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:02导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4553.pdf: 174320 bytes, checksum: b175da5dd2de6fb18dc8b0f16aa116f4 (MD5) Previous issue date: 2005 国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助 山西大同大学物理系;中国科学院半导体研究所 国家自然科学基金,中国科学院纳米科学与技术项目资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孙彦;方志丹;龚政;苗振华;牛智川.分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性,人工晶体学报,2005,34(2):384-386 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
