掺Er3+玻璃上转换发光特性研究

采用高温熔制工艺制备了掺Er3+硅酸盐玻璃，应用Judd-Ofelt 理论计算了Er3+光谱参数， 发现玻璃中含有0.15 mol%Er2O3 时各参数取得最大值；分析了玻璃的吸收光谱随Er3+离子浓度的变 化关系；上转换光谱分析表明在522 nm、544 nm、658 nm 处有较强的绿光和红光，分别对应于 2H11/2→4I15/2、4 S3/2→4I15/2、4 F9/2→4I15/2 的跃迁，且522 nm 绿光强度和658nm 红光强度要远大于544 nm 绿光强度. 分析了上转换发光强度随泵浦功率和Er3+离子浓度的变化关系，揭示了上转换发光机制 主要是激发态吸收和能量转换，且均为双光子吸收过程.

黄河中游地区年径流对土地利用变化时空响应分析

以黄河中游河龙区间为研究区,以水土流失综合治理及生态环境建设导致的土地利用/覆被变化为背景,采用非参数统计法,基于区内38个水文站20世纪50年代至2000年水文数据,分析流域年径流对土地利用/覆被变化响应的时空变异特征,估算影响因素贡献率。结果表明:其中29条流域年径流量呈显著减少趋势,变率为0.17~2.61 mm/a;28条流域年径流量具有显著跃变时间,无定河流域各水文站跃变时间多在1970—1973年间,其余则多为1978—1985年,最晚为1994年;在5%、50%和95%的发生频率上,跃变前后时段年径流量减少幅度以30%~60%普遍,最大分别为73.2%、63.5%和69.7%;河龙区间整体呈显著减少趋势,变率为0.79 mm/a,跃变时间发生在1979年,3个频率上的减少幅度分别为46.5%、42.4%和24.1%。估算的11条流域中有9条土地利用/覆被变化等人类活动对流域径流减少影响程度超过50%。水土保持措施面积的增加,尤其淤地坝等水利水保工程措施的持续修建,对区域地表径流变化具有明显影响。

黄土高原侵蚀区长芒草对坡地土壤水分养分的影响

在黄土高原神木六道沟流域选相邻退耕坡地和裸地,均匀布点采样结合室内分析,采用SPSS处理数据,研究30龄长芒草(Stipa bungeana)对土壤水分、养分的影响。结果表明:在长芒草根系分布区土壤水分下降很快,并且形成干层,其中40~60 cm含水量均低于5.5%,最低达3.2%;同时,长芒草可使土壤养分在表层累积,而降低20~50cm土层处养分含量;全氮、全磷、有机质、硝态氮和铵态氮含量均随土层的加深而降低。

半干旱区施氮和灌溉条件下覆膜对春玉米产量及氮素平衡的影响

以典型半干旱区干湿砂质新成土(Ust-Sandic Entisols)为供试土壤进行田间试验,研究地膜覆盖、施氮及补充灌水量对春玉米(Zea maysL.)产量、土壤矿质氮(NO3--N和NH4+-N)及氮素平衡的影响。结果表明,0—100 cm土体范围内,随着土层加深,播前和收获后土壤NO3--N含量呈降低趋势,NH4+-N有所增加,但变幅不大;总矿质氮量(NO3--N和NH4+-N)表现为下降。说明地膜覆盖和施氮并没有使NO3--N深层累积量增加,这可能与土壤本身供氮能力严重不足有关。与不施氮相比,施氮各处理氮肥表观损失量增加;与不覆膜相比,作物氮素累积量比不覆膜显著增加(P<0.05)。在低灌(80 mm)覆膜和高灌(160 mm)覆膜条件下,玉米的氮肥利用率均比不覆膜提高了18.8%,说明覆膜低灌在相同施氮条件下,可节约80 mm灌水。但低灌(80 mm)与高灌(160 mm)不覆膜间氮肥利用率差异不显著,表明在相同施氮条件下,覆膜可有效提高氮肥利用率,减少氮素损失。综合考虑子粒产量和氮肥利用率,"覆膜+补灌80 mm+施氮90 kg/hm2"可能为本试验条件下较优的栽培模式。

猕猴胚胎干细胞培养以及定向分化成神经细胞的研究

灵长类胚胎干细胞（Es）的研究不仅对理解生殖发育生物学的基础理论、而且对实现细胞替代治疗具有重要意义。当前灵长类ES细胞还有很多问题需要解决，如ES细胞培养体系的改进、ES细胞定向分化成高纯度特定组织细胞的可能性、有效性以及分化机制等问题。本文一方面概述了灵长类ES细胞相关领域的研究进展；另一方面，以称猴胚胎干细胞（rEs）为材料，在改善rES细胞的培养体系、提高其定向分化成神经前体细胞（NPs）和少突细胞的比率进行了研究。实验采用同源称猴细胞系作为饲养层培养rES细胞，并在此基础上利用肝生长因子（HGF）和GS诱导rES细胞定向分化成高纯度的NPs和少突细胞，并评价了NPs是否具有移植功能。主要结论如下：1）四种称猴细胞系（MOF、MESF、MFG和CMESF）可作为饲养层支持rES细胞的生长，保持ES自我更新的能力和分化的多能性。而且这几种称猴饲养层支持ES细胞生长的能力存在明显的差异，进一步的研究表明这些差异主要是由于基因表达种类以及表达量上的差异而导致的。2）采用HGF和GS作为诱导因子添加到NDCM液中，诱导rES细胞分化成可移植的NPs。实验结果如下：单独的HGF或GS仅能诱导ES细胞分化成65±8.3％和69±14％NPs，而HGF和GS的联合使用NPs的比率达到88.3±8.1％，进一步纯化后获得98±1.2％的NPs。获得的NPs能在体内、外分化成三个谱系神经细胞，并能整合到大鼠脑部，发生迁移和分化。25％的NPs细胞8周后仍保持存活状态，其中65-80％的细胞发生了不同程度的迁移，而且细胞在脑部的分化种类以及数目与细胞在体内所处的微环境具有重要的关系。亚克隆实验也进一步证明采用HGF＋GS获得的部分单个NPs具有神经干细胞的特性，也能在体内、外分化成三个谱系的神经细胞，而另外的却只能分化成其中的一、两种谱系的细胞。3）利用五步法，ES细胞能分化成75±6.8％的少突祖细胞和81土8．6％的成熟少突细胞。HGF通过抑制NPs的凋亡和缩短NPs的复制周期，共同促进NPs的增殖。HGF也能诱导HGF+G5获得的NPs分化成少突祖细胞和成熟少突细胞，并且促进少突细胞成熟。而且HGF促进NPs分化成少突细胞的能力受到GS的调控，单独HGF作用将导致ES细胞分化成神经元。本实验的结果为促进rES细胞相关领域的研究，以及ES细胞在神经系统疾病临床应用上提供信息，也为研究NPs和少突细胞的发育提供典型的细胞模型。

Characteristics of InAs epilayers for Hall effect devices grown on GaAs substrates by MBE

InAs thin films with good characteristics were grown on GaAs (0 0 1) substrates by molecular beam epitaxy. Cross-sectional transmission electron microscopy indicated that most of the threading dislocations formed by the interaction of misfit dislocations are annihilated above a small thickness. The high electron mobility and small temperature dependence of InAs epilayers are useful for magnetic sensors which is demonstrated by the properties of Hall effect devices.

新奇半导体低维结构的自组织生长

文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展，同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况。此外，对这些材料的一些测试方法也进行了介绍．

大功率GaInP／AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP／AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器．所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到．制备的激光器具有双沟脊波导结构，条宽和腔长分别为3和900μm，前后端面分别蒸镀5％的增透膜和95％的高反膜．分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能．阈值电流的典型值为32mA，光学灾变阈值为88mW，功率为80mW时的工作电流为110mA，斜率效率为1W／A，串联电阻为3Ω．基横模光输出功率可达60mW，60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°，激射波长为658．4nm．器件的内损耗为4．1cm^-1，内量子效率达80％，透明电流密度为648A／cm^2．

GaNAs/GaAs量子阱的静压光致发光研究

在15K和0-9GPa静压范围下测量了GaN0.015As0.985/GaAs量子阱的光致发光谱。观察到了GaNAs阱和GaAs垒的发光，发现GaNAs阱发光峰随压力的变化比GaAs垒发光峰要小很多。当压力超过2.5GPa后还观察到了与GaAs中的N等电子陷阱有关的一组新发光峰。用二能级模型及测得的GaAs带边和N等电子能级的压力行为计算了GaNAs发光峰随压力的变化，但计算结果与实验结果相差甚大，表明二能级模型并不安全适用。对观察到的GaNAs发光峰的强度和半宽随压力的变化也进行了简短讨论。

静态灰度图像中的人脸快速检测

基于所构造的一个适合于各种脸形和角度（双眼可见）的人脸模型，利用人脸的灰度信息、梯度信息和对称性信息，提出一种基于区域统计特性的快速人脸检测算法，并对其鲁棒性进行实验。该算法一次可以检测一个范围的人脸图像，并在检测过程中给出双眼位置，可用于实时的人脸检测中。

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge_xSi_(1-x)/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

半导体中的输运过程

文章根据半导体物理的发展历史,分体半导体输运、调制掺杂异质结输运、超晶格微带输运、弹道输运以及介观系统输运等几个方面来讨论这一问题.