大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器
Data(s) |
2005
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Resumo |
制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm^-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm^2. 制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm^-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm^2. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:03:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4404.pdf: 468307 bytes, checksum: b21ba84bda731524bb604a4c7247849e (MD5) Previous issue date: 2005 国家高技术研究发展计划资助项目 中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展计划资助项目 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
徐云;郭良;曹青;宋国峰;甘巧强;杨国华;李玉璋;陈良惠.大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器,半导体学报,2005,26(11):2213-2217 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |