N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.

室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb

采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。

InAs/InP（0.7）Sb（0.3）热电子晶体管的fT及f（max）

于2010-11-23批量导入

等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

于2010-11-23批量导入

~(125)Sb高自旋态:粒子-核芯激发耦合

利用在束γ谱学方法,通过~(124)Sn(~7Li,α2n)反应研究了~(125)Sb的激发态,首次建立了~(125)Sb的高自旋能级纲图,其中包括21条新γ跃迁和14个新能级。发现1970,2110和2470 keV3个能级为同质异能态,基于延迟符合测量确定了它们的寿命范围,并确定其自旋、宇称分别为15/2~-,19/2~-和23/2~+。根据粒子-核芯耦合图像和经验壳模型计算解释了~(125)Sb的能级结构,3个同质异能态的组态分别被指定为πg_(7/2)(×)V(h_(11/2)s_(1/2))_(5~-),πg_(7/2)(×)V(h_(11/2)d_(3/2))_(7~-)和πg_(7/2)(×)V(h_(11/2)~2)_(10~+),

丰中子核~(125)Sb的高自旋态(英文)

利用在束γ谱学方法 ,通过1 2 4 Sn( 7Li,α2n)反应首次研究了丰中子核1 2 5Sb的高自旋态 .建立了自旋达 2 3 2 +、激发能至 2 63 7keV的能级纲图 ,其中包括 2 1条新γ跃迁和 1 4个新能级 .在 1 970 ,2 1 1 0和 2 471keV识别出了 3个同质异能态 ,估计了它们的寿命范围 ,并建议分别具有πg7 2 ν(h1 1 2 s1 2 ) ,πg7 2 ν(h1 1 2 d3 2 ) ,πg7 2 ν(h21 1 2 )三准粒子组态 .根据价质子与1 2 4 Sn核芯激发态的耦合讨论了1 2 5Sb的能级结构 .

污染土壤中Sn、Hg、Sb、Bi解吸动力学特性的研究

土壤中重金属的解吸直接影响重金属在环境中的形态转化和植物有效性。文章以我国东北地区草甸棕壤作为研究对象,通过对Sn、Hg、Sb、Bi单一及复合污染土壤中Sn、Hg、Sb、Bi的解吸动力学行为的研究,探索污染土壤中重金属Sn、Hg、Sb、Bi的解吸特性与规律。结果表明,不同污染类型的污染土壤中Sn、Hg、Sb、Bi这几种重金属的解吸量随着振荡时间的延长而不断增加。重金属Sn、Hg、Sb、Bi的解吸过程可分为快速反应阶段和慢速反应阶段。描述土壤Sn、Hg、Sb、Bi解吸动力学过程的最优模型为Elovich方程,其次为双常数方程,而一级动力学方程拟合效果不佳。此外,污染土壤中重金属Sn、Hg、Sb、Bi的解吸过程受共存重金属元素的影响。

Studies on the energy band structures and chemical bond properties of LaX(X=N, P, As, Sb) crystals

The energy band structures of LaX(X=N, P, As, Sb) crystals have been studied by using LMTO-ASA method. The calculated energy gaps of these crystals are 2. 30 eV for LaN, 2. 05 eV for LaP, 1. 66 eV for LaAs and 1. 34 eV for LaSb. The results are in good agreement with experimental data, At the same time, using these calculated results of energy band structures of these crystals, the chemical bond properties have been analyzed and calculated, The covalency values of these crystals are 26.15% for LaN, 32.54% for LaP, 33.30% for LaAs and 36.49% for LaSb, which agree satisfactorily with the calculated ones by using PV (Phillips-Vechten) theory.

LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合，说明了该关系式的合理性

Crystal Radii and Their Application on the Study of Electronic Structures of LaX(X=N,P,As,Sb)

以Ｐｈｉｌｉｐｓ－ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ理论和晶体光学性质为基础，计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的离子半径（单位：ｎｍ）：（Ｌａ：Ｎ）为（０．１４１４，０．１２３６），（Ｌａ：Ｐ）为（０．１５１８，０．１４８９），（Ｌａ：Ａｓ）为（０．１５３６，０．１５２６），（Ｌａ：Ｓｂ）为（０．１５８６，０．１６５１）．用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法对ＬａＸ系列晶体的能带结构进行了计算．所得到的能隙是：ＬａＮ为２．３０ｅＶ，ＬａＰ为２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ为１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ为１．３４ｅＶ．与实验结果相符．这也证明了作者得到的半径的合理性.

CHEMICAL-BONDS AND DIELECTRIC-CONSTANTS OF REM (RE=RARE EARTH, M=N, P, AS, SB) CRYSTALS

By using Pillips and van Vechten theory, the chemical bond parameters and dielectric constants of REM (RE=rare earth, M=N, P, As, Sb) crystals were calculated. The values calculated of dielectric constants agree with the experimental values.