LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带程序计算了ＬａＸ（Ｘ＝Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）晶体的能带结构，得到的晶体能隙分别为ＬａＮ２．３０ｅＶ，ＬａＰ２．０５ｅＶ，ＬａＡｓ１．６６ｅＶ，ＬａＳｂ１．３４ｅＶ，与实验结果基本相符．利用价电子总数在阴阳离子上的分配数之比，给出计算晶体化学键性质的经验关系式，根据该式计算晶体化学键的共价性与文献结果非常吻合，说明了该关系式的合理性 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
孟庆波;武志坚;张思远.LaX(X=N,P,As,Sb)晶体的能带结构和化学键性质研究,高等学校化学学报,1998,19(3 ):429-432 |
| Palavras-Chave | #能带结构 #化学键性质 #氮化镧系列晶体 |
| Tipo |
期刊论文 |
