室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
| Data(s) |
2002
|
|---|---|
| Resumo |
采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。 采用离子注入、离子沉积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb，在室温下（300 K）获得了单晶的磁滞回线。用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶Mn_xGa_(1-x)Sb的结构，用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布。由X射线衍射得知，Mn_xGa_(1-x)Sb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0。电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1 * 10~(21)cm~(-3)，表明Mn_xGa_(1-x)Sb单晶中大部分Mn原子占据Ga位，起受主作用。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:08:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:08:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5122.pdf: 129019 bytes, checksum: e9537739fa1a614455538608191161f7 (MD5) Previous issue date: 2002 国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目 中国科学院半导体所;中国科学院力学所 国家自然科学基金（批准号：6 176 1）,国家重大基础研究计划（批准号：G2 683，G2 365）资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈诺夫;张富强;杨君玲;刘志凯;杨少延;柴春林;王占国;胡文瑞;林兰英.室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb,科学通报,2002,47(24):1863-1864 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
