N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量. 用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:05:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4649.pdf: 468610 bytes, checksum: cd735d0432cf6e299de52cfb7c1b0cb8 (MD5) Previous issue date: 2004 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划),中国博士后科学基金资助的课题 中国科学院半导体研究所超晶格研究室 国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划),中国博士后科学基金资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
倪海桥;徐晓华;张纬;徐应强;牛智川;吴荣汉.N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响,物理学报,2004,53(5):1474-1482 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
