1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca（0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。

高迁移率Si/Si（0.7）Ge（0.3）/Si调帛掺杂异质结构的生长和输运性质

863计划,国家攀登计划

GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）超晶格中场致激子峰展宽机制的研究

于2010-11-23批量导入

GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

国家自然科学基金

Multiple expansions of C-4 plant biomass in East Asia since 7 Ma coupled with strengthened monsoon circulation

IEECAS SKLLQG

Tectonic uplift in the northern Tibetan Plateau since 13.7 Ma ago inferred from molasse deposits along the Altyn Tagh Fault

IEECAS SKLLQG

28.7MeV/u的~(14,16,18)O+~(7,9)Be反应中的同位素分布研究

用同位旋相关的Boltzmann Langevin方程研究了在入射能量为2 8 7MeV/u下 ,不同弹核 14O ,16 O和 18O轰击不同靶核 7Be和 9Be的反应 ,计算了生成碎片的产生截面 ,发现用丰中子 (缺中子 )炮弹或丰中子 (缺中子 )靶进行反应 ,所得到的产物均有丰中子 (缺中子 )的碎片出现 .同位素分布宽度和峰位与入射体系密切相关 ,产生碎片的电荷数越接近入射弹核的电荷数 ,则同位素分布的宽度越大 ,峰位偏离β稳定线值越远 ,其同位旋效应越明显 .