In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究


Autoria(s): 李国华; 郑宝真; 韩和相; 汪兆平
Data(s)

1990

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20473

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104874

Idioma(s)

中文

Fonte

李国华;郑宝真;韩和相;汪兆平.In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下光致发光的对照研究,半导体学报,1990,11(9):718

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文