两种缘毛类纤毛虫胞质Hsp70基因序列的克隆及其系统发育分析

克隆得到 2种缘毛类纤毛虫———钟形钟虫 (Vorticellacampanula)和螅状独缩虫 (Carchesiumpolyp inum)的胞质Hsp70基因部分序列 ,长度均为 4 38bp ,编码 14 6个氨基酸。以细菌为外类群 ,利用最大似然法和邻接法构建包括其他 5种纤毛虫在内的共 2 6个物种的Hsp70基因氨基酸序列系统发育树 ,其拓扑结构显示 :V campanula和C polypinum聚在一起 ,并与另 2种寡膜纲的嗜热四膜虫 (Tetrahymenathermophila)及草

武汉东湖若干轮虫卵和胚后发育时间的观察

在不同的实验温度下测定了武汉东湖10种体外带卵轮虫和4种非带卵轮虫卵及其胚后发育时间。结果表明,在一定温度范围内卵的发育时间随温度升高而缩短,它们间的关系可用曲线回归方程1nD=a+blnT+c(1nT)~2描述。在相同的温度培养下,体外带卵轮虫卵的发育时间一般比非带卵轮虫的时间长。初步观察结果表明,胚后发育时间亦随温度升高而缩短。实验结果表明,卵的发育时间约占世代发育时间的31％(24—41％);胚后发育时间约占69％(59—76％)。本文还同其他研究者所获得的卵的发育时间与温度间的回归方程式、胚后发育

Complete genome sequence of lymphocystis disease virus isolated from China

Lymphocystis diseases in fish throughout the world have been extensively described. Here we report the complete genome sequence of lymphocystis disease virus isolated in China (LCDV-C), an LCDV isolated from cultured flounder (Paralichthys olivaceus) with lymphocystis disease in China. The LCDV-C genome is 186,250 bp, with a base composition of 27.25% G+C. Computer-assisted analysis revealed 240 potential open reading frames (ORFs) and 176 nonoverlapping putative viral genes, which encode polypeptides ranging from 40 to 1,193 amino acids. The percent coding density is 67%, and the average length of each ORF is 702 bp. A search of the GenBank database using the 176 individual putative genes revealed 103 homologues to the corresponding ORFs of LCDV-1 and 73 potential genes that were not found in LCDV-1 and other iridoviruses. Among the 73 genes, there are 8 genes that contain conserved domains of cellular genes and 65 novel genes that do not show any significant homology with the sequences in public databases. Although a certain extent of similarity between putative gene products of LCDV-C and corresponding proteins of LCDV-1 was revealed, no colinearity was detected when their ORF arrangements and coding strategies were compared to each other, suggesting that a high degree of genetic rearrangements between them has occurred. And a large number of tandem and overlapping repeated sequences were observed in the LCDV-C genome. The deduced amino acid sequence of the major capsid protein (MCP) presents the highest identity to those of LCDV-1 and other iridoviruses among the LCDV-C gene products. Furthermore, a phylogenetic tree was constructed based on the multiple alignments of nine MCP amino acid sequences. Interestingly, LCDV-C and LCDV-1 were clustered together, but their amino acid identity is much less than that in other clusters. The unexpected levels of divergence between their genomes in size, gene organization, and gene product identity suggest that LCDV-C and LCDV-1 shouldn't belong to a same species and that LCDV-C should be considered a species different from LCDV-1.

Fabrication and Infrared Optical Properties of Nano Vanadium Dioxide Thin Films

Vanadium dioxide thin films were fabricated by ion beam sputtering on Si3N4/SiO2/Si after a post reductive annealing process in a nitrogen atmosphere. X-ray Diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were employed to analyze the effects of post annealing temperature on crystallinity, morphology, and composition of the vanadium oxide thin films. Transmission properties of vanadium dioxide thin films were measured by Fourier transform-infrared (FT-IR) spectroscopy. The results showed that the as-deposited vanadium oxide thin films were composed of non-crystalline V2O5 and a tetragonal rutile VO2. After annealing at 400 degrees C for 2 h, the mixed phase vanadium oxide (VOx) thin film changed its composition and structure to VO2 and had a (011) oriented monoclinic rutile structure. When increasing the temperature to 450 degrees C, nano VO2 thin films with smaller grains were obtained. FT-IR results showed that the transmission contrast factor of the nano VO2 thin film was more than 0.99 and the transmission of smaller grain nano VO2 thin film was near zero at its switched state. Nano VO2 thin film with smaller grains is an ideal material for application in optical switching devices.

Quantum efficiency and temperature coefficients of GaInP/GaAs dual-junction solar cell

GaInP/GaAs dual-junction solar cell with a conversion efficiency of 25.2% has been fabricated using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. Quantum efficiencies of the solar cell were measured within a temperature range from 25 to 160A degrees C. The results indicate that the quantum efficiencies of the subcells increase slightly with the increasing temperature. And red-shift phenomena of absorption limit for all subcells are observed by increasing the cell's work temperature, which are consistent with the viewpoint of energy gap narrowing effect. The short-circuit current density temperature coefficients dJ (sc)/dT of GaInP subcell and GaAs subcell are determined to be 8.9 and 7.4 mu A/cm(2)/A degrees C from the quantum efficiency data, respectively. And the open-circuit cell voltage temperature coefficients dV (oc)/dT calculated based on a theoretical equation are -2.4 mV/A degrees C and -2.1 mV/A degrees C for GaInP subcell and GaAs subcell.

Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers

We investigate the molecular beam epitaxy growth of GaSb films on GaAs substrates using AlSb buffer layers. Optimization of AlSb growth parameter is aimed at obtaining high GaSb crystal quality and smooth GaSb surface. The optimized growth temperature and thickness of AlSb layers are found to be 450 degrees C and 2.1 nm, respectively. A rms surface roughness of 0.67 nm over 10 x 10 mu m(2) is achieved as a 0.5 mu m GaSb film is grown under optimized conditions.

AlGaInP visible quantum well lasers for information technology

650 nm-range AlGaInP multi-quantum well (MQW) laser diodes grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) have been studied and the results are presented in this paper. Threshold current density of broad area contact laser diodes can be as low as 350 A/cm(2). Laser diodes with buried-ridge strip waveguide structures were made, threshold currents and differential efficiencies are (22-40) mA and (0.2-0.7) mW/mA, respectively. Typical output power for the laser diodes is 5 mW, maximum output power of 15 mW has been obtained. Their operation temperature can be up to 90 degrees C under power of 5 mW. After operating under 90 degrees C and 5 mW for 72 hrs, the average increments for the threshold currents of the lasers at 25 degrees C and the operation currents at 5 mW (at 25 degrees C) are (2-3) mA and (3-5) mA, respectively. Reliability tests showed that no obvious degradation was observed after 1400 hours of CW operation under 50 degrees C and 2.5 mW.

Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth

When liquid phase epitaxy regrowth at 780 degrees C for 2 h is applied to the samples after molecular beam epitaxy, a decrease of the threshold current density in strained InGaAs/GaAs quantum well lasers by a factor of 3 to 4 is obtained. We suggest that this improvement is attributed to the reduction of nonradiative centers associated with deep levels at the three regions of the active region, the graded layer and the cladding layer. Indeed, a significant reduction of deep center densities has been observed by using minority and majority carrier injection deep level transient spectroscopy measurements. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Fabrication of Nano-structured VOx Film by Low Temperature Ion Beam Sputtering and Reductive Annealing

VOx thin films have been fabricated by low temperature ion beam sputtering and post reductive annealing process. Semiconductor-metal phase transition is observed for the film annealed at 400 degrees C for 2 hours. The film also shows a polycrystal structure with grain size from 50nm to 150nm. The VOx thin films fabricated by this process have a TCR up to -2.7% at room temperature. Our results indicate a promising fabrication method of the nano-structured VOx film with relatively high TCR and semiconductor-metal phase transition.

使用压缩函数的非平衡Feistel结构的伪随机性和超伪随机性

从可证明安全的角度研究使用压缩函数的非平衡Feistel结构(UFN-C)的安全性,证明了k+1轮UFN-C是伪随机的,k+2轮UFN-C是超伪随机的;进一步地,探讨了UFN-C的有效构造,降低了Naor和Reingold在1999年文章中类似结构对伪随机函数个数的要求.最后,针对一类具体的UFN-C--SMs4,分析其广义形式SMS4-like结构的伪随机性和超伪随机性,为设计与使用该类结构的分组密码提供了可证明安全的理论依据.

沼气渣养殖蚯蚓的试验研究

本试验结果表明:(1)沼气渣可以用来养殖蚯蚓，但必须冲洗、凉干，排除过多的有毒气体.用醋酸调节PH值，用稻谷糠改变C/N和增加通气性.(2)不同配比的沼气渣对蚯蚓的增长速度、繁殖倍数的影响有所不同，其中B组最好，A组次之，C组最差，这是因为各组的C/N不同，B组的C/N最适于蚯蚓的生长繁殖之故.本试验研究提出了一个以稻草为原料，沼气发酵为基础，蚯蚓为中心环节的良性生态循环.这种循环不但能提高稻草的经济效益，而且是消除环境污染，解决农村能源的一个简便实惠、行之有效的办法.

分子组装体的扫描探针显微学研究

本文简要评述了扫描探针显微学研究的发展过程、目前状况及发展方向，着重介绍了扫描探针显微学(SPM)在分子组装体研究中的一些应用。采用扫描探针显微学结合电化学的方法对自组装膜(SAMs)、表面活性剂(surfactant)、纳米颗粒(nanoparticles)等分子组装体系进行了研究，并结合IR、QCM、XPS、XRD等多种手段对分子组装体在电极表面的形态和结构进行了探讨。主要结果如下：1．SPM研究以杂多酸为基础的分子组装体我们通过将AsMo_(11)V0_(40)~(4-)杂多酸阴离子从其酸性溶液中自吸附至金表面的方法，制备了一类新的无机自组装膜。我们利用QCM、STM和电化学方法分别研究了AsMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜的吸附过程、在Au表面的结构和电化学性质。QCM数据表明这个自组装过程可以用Langmuir吸附等温式来描述，其吸附自由能为-20 KJ/mol。 通过QCM测得的AsMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜的表面覆盖度的最大值为1.7 * 10~(-10)mol/cm~2，这相当于一个AsMo_(11)VO_(40)~(4-)阴离子的密堆积单层。AsMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜的循环伏安图上出现三对可逆的氧化还原峰，每对峰所对应的自组装膜的表面覆盖度都亦为1.78 * 10~(-10) mol/cm2，和QCM结果一致。现场STM图像显示AsMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜十分的均一没有如何多层或聚集体的结构。高分辨STM图进一步显示在Au(111)表面的sMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜于+0.7 V(vs．Ag | AgCl)表现出二维有序的四方晶体结构，晶格间距为10-11 A。这个值与sMo_(11)VO_(40)~(4-)阴离子的直径十分接近。从STM图我们也估算出AsMo_(11)VO_(40)~(4-)自组装膜的表面覆盖度为1.8 * 10~(-10) mol/cm~2，这和QCM以及电化学的实验结果都很接近。我们进一步研究了一种新的以杂多酸为基础的有机无机复合膜--砷钼钒杂多酸的十一烷基吡啶盐(CPMVA)--的制备、结构和电催化性质。通过在这种盐的丙酮溶液中循环电位扫描，我们可以在HOPG电极表面制备稳定的CPMVA膜。我们利用XPS、STM和电化学多种手段来表征CPMVA膜的结构和性质。这些研究表明：在新剥离HOPG表面CPMVA膜的结构为自聚集的分子团，而在预阴极化HOPG表面CPMVA膜的结构为自有序单层。CPMVA膜在酸性和丙酮溶剂中部表现出可逆的氧化还原动力学行为，这说明这种新类型的膜甚至能在有机溶剂中用作催化剂。当溶液的pH值大于7.O时，CPMVA膜也能维持其稳定性，它对pH值的依赖程度明显小于其无机物形式的膜(H_4AsMo_(11)VO_(40))对pH值的依赖程度。CPMVA膜对Br0_3-的还原表现出很好的电催化活性，催化电流与BrO_3~-的浓度的平方成正比。这种有很高稳定性的新类型杂多酸膜在催化剂领域中将有很广阔的应用前景。2．电化学STM研究吸附在金属表面的表面活性剂聚集体由于电位诱导引起的结构变化表面活性剂在表面的吸附已广泛地被用于限制电极表面的活性和稳定溶液中的胶体和纳米粒子，但是人们对表面活性剂在电极表面的结构和由于电位变化所引起的结构改变并不清楚。在这个工作中我们利用现场STM观察了电位控制下表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)在Au(111)表面的吸附。STM图像显示通过控制电位SDS在Au(111)表面有一从半圆柱胶束单层向致密双层膜过渡的构象变化。我们也建立了SDS聚集体在Au(111)表面电位诱导结构变化的模型。就我们所知，这是第一次系统地研究表面活性剂聚集体在金属表面的电位诱导结构变化。3．在固体表面构筑有序的聚苯胺分子导线我们提出了一种新的通过分子设计构筑有序聚苯胺分子导线的新方法。首先，根据Saveant的方法我们在HOPG表面修饰上有序的4-氨基苯单层，然后溶液中的苯胺分子通过阶跃的方法被层层电聚合在4-氨基苯单层修饰的HOPG表面，形成有序的聚苯胺分子导线。FTIR-ERS和XPS结果证实HOPG表面上形成了聚苯胺。SPM图显示在HOPG表面的聚苯胺平面结构为有序的3~(1/2) * 3~(1/2) R 30°。小角X-射线反射结果表明聚苯胺分子导线是垂直站立在HOPG表面。电化学测量进一步表明聚苯胺分子导线的形成有利于加速电子传递速率。这种先分子设计后电聚合的方法可能会成为一类在固体表面制备有序导电聚合物分子导线的新方法。依据上一个实验，我们在金表面通过自组装的方法构筑了绝缘分子导线。我们选择β-环糊精(β-CD)作为包络4-氨基硫酚的理想主体分子。β-CD和4-氨基硫酚形成的包络物首先被自组装到Au表面，然后也通过阶跃的方法被层层电聚合在自组装膜修饰的Au表面，形成有序的聚苯胺分子导线。FTIR-ERS和XPS结果证实Au表面上形成了聚苯胺。低电流STM(LC-STM)图像表明在Au(111)表面的聚苯胺分子线为六角的二维有序，分子与分子之间的最相邻距离为15.5±0.5 A。这种先进行CD超分子自组装后电聚合的方法可能会成为一类制备导电聚合物绝缘分子导线的新方法。4．SPM研究在HOPG表面电化学合成的纳米材料我们通过脉冲恒电位方法从稀的苯胺酸性溶液(1mM苯胺 + 1 M HClO_4)在HOPG表面制备聚苯胺纳米颗粒。我们利用FTIR-ERS、XPS、TM-AFM手段来表征聚苯胺纳米颗粒的组成和结构。FTIR-ERS和XPS结果表明制得的聚苯胺纳米颗粒主要以亚胺形式存在。TM-AFM图像显示分散于HOPG表面的聚苯胺纳米颗粒的表面覆盖度约为10~(10)cm~(-2)。这些纳米颗粒都为圆盘型，直径为200到600埃，高度为10到30埃。这些纳米颗粒的大小随聚合电量由5.7 μC/cm~2增加到19.3 μC/cm~2而增大。我们提出了一种通过分子设计在HOPG表面制备金属纳米粒子的新方法。第一步，根据Saveant的方法我们在HOPG表面修饰上一个4-氨基苯单层。第二步，通过配位相互作用Ag~+能在4-氨基功能化的HOPG表面形成单层。第三步，通过脉冲恒电位方法我们就能在4-氨基苯功能化的HOPG制备Ag纳米颗粒。电化学测量证明了在HOPG表面上Ag纳米颗粒的形成。STM图像显示通过这种方法制得的Ag纳米颗粒的大小十分均一且在HOPG表面上的分散度很高。这种新方法可被广泛地用来在碳表面制备各种金属纳米粒子。

园二色谱电化学及其在结构生物电化学研究中的应用

将生物电化学与目前生物学的主流学科一结构生物学相结合，形成了结构生物电化学，以研究生物大分子在电化学过程中的结构变化规律及其对其电化学活性，生物活性和生理功能的影响．将园二色谱与电化学技术相结合称为园二色谱电化学，是结构生物电化学研究中的重要工具之一，它不仅为结构生物学研究提供了新的途径，而且为生物电化学开辟了新的研究领域．本论文在结构生物电化学的这一新概念基础上，建立了园二色谱电化学方法研究结构生物电化学的实验方法，数据处理和理论分析方法，并开展了多种生物大分子的结构-电化学研究．主要完成的工作如下：在基础理论与方法方面：1．建立和完善不可逆体系中薄层光谱电化学数据处理的双对数方法，用于区别简单电化学过程的E，EC和髓机理，电非活性产物吸附的自封闭，自阻碍和自加速机理；与非线性回归相结合，从有限实验数据中最多可获得7个电化学过程的热力学和动力学参数；并应用于中性和碱性条件下去甲肾上腺素，乙醇溶液中维生素D2前体，碱性溶液中酪氨酸，中性溶液中抗坏血酸的电化学反应机理的CD谱电化学研究；2．建立了奇异值分解最小二乘方法，用于解析动态光谱数据，不仅能给出组份数，各组份的光谱，而且同时给出各组份分数的分布，并应用于去甲肾上腺素在电化学氧化还原过程中的CD谱的解析和机理研究；3．提出了微区近似概念，与显示差分方法相结合，建立了微区近似显示差分的数值模拟方法．应用于薄层电化学池中三维的铂网电极体系的电化学和光谱电化学行为的模拟，获得与实验值一致的结果，并对薄层厚度，网眼尺度对薄层行为的影响进行了模拟研究；4．以分子力学与半经验分子轨道方法相结合，研究吲哚酚衍生物的分子结构参数与其式电位之间的定量关系，预测衍生物的式电位，推测电化学反应的气态分子结构机理；在结构生物电化学研究方面：5．在结构生物电化学这一新概念基础上，建立了以CD谱电化学研究结构生物电化学的实验方法，与基础理论研究的结果相结合，进行生物大分子结构．电化学研究：6．在牛血清白蛋白的结构．电化学研究中发现：(1)正电场诱导SA二级结构变化，存在三种构象转化：α螺旋→反平行β折叠；β转角→平行β折叠；平行β折叠→反平行β折叠；(2)负电场诱导BSA二级结构的变化存在β折叠→α螺旋的构象转化；(3)负电场和BSA的电化学还原诱导BSA中双硫键构象的左手旋→右手旋转化；证明了天然BSA中17个双硫键近似有1／2为左手旋；(4)研究了BSA中双硫键的电化学还原为EC机理和参数；7．在DNA的结构-电化学研究中发现：(1)负电场诱导DNA的B_(10.4)→Z_(l0.2)结构变化；(2)DNA电化学还原诱导B_(10.2)→B_(lO.4)和B_(10.2)→C 结构变化; (3)B_(10.4), B_(10.2)和C型DNA可能是由B_(10.4)，右手-A和左手-A型DNA的不同组份的共存而形成的；(4)获得DNA电化学还原过程的参数；8．在血红蛋白的结构一电化学研究中发现：(1)电化学还原诱导血红蛋白的T→R构型转化，手性转化的伞翻转效应；(2)电场诱导血红蛋白的两种0c螺旋二级结构间的转化，属于电场诱导血红蛋白的部分变性；(3)获得血红蛋白电化学还原的包括R→T转换的EC机理和参数；9．在细胞色素c的结构-电化学研究中发现：(1)细胞色素c的二级和三级结构受电场和酪氨酸残基及血红素中Fe的电化学还原的影响，其中酪氨酸残基还原的影响较大；(2)细胞色素c的电化学还原没有发生构型转化现象；(3)细胞色素c参与二级结构变化的构象有α螺旋，平行β折叠，反平行β折叠和无规卷曲；各组份随电位的变化复杂；(4)获得细胞色素c电化学还原的机理和参数；10．肌红蛋白的结构-电化学研究中发现：(1)电化学还原诱导了肌红蛋白的T→R构型转化伴随着cD谱的峰位移，但没有象血红蛋白那样明显伞翻转效应，表明伞翻转效应是多个亚基共同作用的结果；(2)获得肌红蛋白电化学还原的EC机理，并伴随产物吸附的自阻碍过程及其参数．

拉米呋淀及其衍生物的合成和药效评估

（1）研究了专利中报道的以2-苯甲酰氧甲基5-乙氧基-1，3氧硫杂环戊烷为中间体，在不同的Lewis酸催化下与乙酰化的胞嘧啶的C-N键偶联反应。研究结果发现，反应的最终产物为苯甲酸2-乙氧基-2-（N_4'-乙酰基胞嘧啶-1'-基）-乙酯。依据实验结果，我们提出了硅甲基化的乙酰基胞嘧啶首先进攻氧硫杂环中间体时，烷硫基比乙氧基基团更易离去，从而进攻氧硫杂环中间体的C-2位而非C-5位的反应机理。（2）研究了不同的Lewis酸催化剂对以2-苯甲酰氧甲基-5-乙酰氧基-1，3-氧硫杂环戊烷中间体与乙酰化胞嘧啶的C-N键形成反庆的影响。结果显示，由于催化剂SnCl_4与氧硫环的硫原子螯合，从而导致胞嘧啶的氮原子从氧硫环的β面进攻，产生顺反产物的比值为3：1，是合成顺式产物的最好催化剂。（3）设计了四步反应合成2-羟甲基-5-（胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷（cis-BCH-189）的路线：通过苯甲酰氧基乙醛与2，5-二羟基-1，4-二噻烷的羟醛缩合反应构筑1，3-氧硫杂环戊烷，经乙酰化反应及SnCl_4催化下的C-N键形成反应接上乙酰化胞嘧啶，最后在K_2CO_3/MeOH体系中脱去保护基，得到主产物cis-BCH-189。利用该方法合成外消旋的cis-BCH-189，未见文献报道。其优点在于原料便宜易得，产品收率高，操作简单，是大量合成cis-BCH-189的有效方法。（4）设计了如下合成2-羟甲基-4-（胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷的路线：以苯甲酰氧基乙醛和巯基乙醇为原料，在甲苯溶剂中和p-TsOH催化下，经羟醛缩和反应合成得到2-苯甲酰氧基-1，3-氧硫杂环戊烷，然后经间氯过苯甲酸（m-CPBA）氧化为亚砜，在NaOAc/Ac_2O中回流发生普梅雷尔重排反应，得到2-苯甲酰氧甲基-4-乙酰氧基-1，3-氧硫杂环戊烷中间体，以Lewis酸SnCl_4为催化剂，获得顺反比值为2：1的产物。将顺式产物在K_2CO_3/MeOH体系中脱去保护基，得到外消旋的顺式-2-羟甲基-4-（胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷。反应共五步，总产率为11%，合成路线未见文献报道。此合成路线原料使宜易得，操作简单，是合成大量产品的有效途径。（5）分另研究了以（-）-樟脑酰氯和（+）-（艹孟）氧基甲酰氯为手性拆分试剂时cis-BCH-189的拆分效果，结果显示前者几乎对其没有拆分能力，而后者却是非常好的拆分试剂。拆分过程为（+）-（艹孟）氧基甲酰氯与顺式-2-羟甲基-5-（N_4'-乙酰基胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷经化学反应成酯后，于0 ℃在甲醇溶剂中重结晶，得到左旋光异构体，经K_2CO_3/MeOH体系酯解脱保护基后，得以拉米呋啶纯品，旋光度为[α]_D~(20) = -137°(c0.01, MeOH)；母液浓缩析出的固体经脱保护基后可得到右旋光的对映体，旋光度为[α]_D~(20) = +34.03°(c0.01, MeOH)。（6）探索了以Hg(CN)_2、HgBr_2银盐及TMSOTf等为催化剂的反应条件下，溴代半乳糖四乙酸酯及β-D-半乳糖五乙酸酯分别与顺式-2-羟甲基-5-（N_4'-乙酰基胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷的糖苷键形成反应。结果发现以Lewis酸TMSOTf为催化剂时，以β-D-半乳糖五乙酸酯为反应原料获得的BCH-189的糖苷衍生物的产率最高；而在汞催化下，以溴代半乳糖四乙酸酯为反应原料获得的BCH-189的糖苷衍生物的产率仅为10～ 20%。以TMSOTf为催化剂，将拉米呋定、顺反BCH-189及顺式2-羟甲基-4-（胞嘧啶-1'-基）-1，3-氧硫杂环戊烷与β-D-半乳糖五乙酸酯反应合成了系列苷类似物的半乳糖衍生物。（7）将系列核苷类似物的乙酰化半乳糖糖苷及脱保护基的核苷类似物的半乳糖糖苷和拉米呋定纯品于2.2.15细胞株中进行抗病毒性能的药效研究，药效结果显示核苷类似物的乙酰化半乳糖糖苷均优于其完全脱保护基的半乳糖糖苷，也优于未与半乳糖偶联的母体核苷体化合物及抗乙肝病毒的药物拉米呋定。

铁系催化马来酸酐与烯类单体的共聚

马来酸酐（MAn）与烯类单体的共聚物应用于许多工业领域，这些工业生产都以自由基聚合为主，但自由基聚合的定向性差、分子量分布宽。ZieglarNatta催化剂用于烯烃的聚合可得到结构规整的、分子量分布窄的聚合物，但所采用的中心原子一般都是前过渡金属，这类催化剂在催化烯烃与极性单体共聚的时候催化效率较低，而在烯烃中插入极性单体可改善聚烯烃的性质，扩大其应用范围。本论文采用以后过渡金属铁为中心原子的乙酞丙酮铁（Fe（acac）_3）和三异丁基铝（Al（i-Bu）_3）组成的双组分催化体系催化马来酸酐与烯类单体茵香脑（ANE）、降冰片烯（NBE）及异戊二烯（Ip）的共聚合反应。实验结果表明，在该催化体系中，马来酸酐与烯类单体共聚合反应的机理可初步认为是配位共聚合机理。马来酸酐与茵香脑共聚合反应的适宜条件为：苯为溶剂，n（Al）／n（Fe）＝8，c(M)＝2.8mol／L，c（Fe）＝1.7×10~(-2)mol/L，n(MAn)／n(ANE)＝1，80℃，6h。在该反应条件下，反应收率为77.0％；聚合反应对单体浓度呈一级关系，表观活化能为31.0 KJ／mol；得到的共聚物是交替的，其中马来酸酐的摩尔含量为45.6％（IR、NMR），共聚物的重均分子量为2.28*10~4分子量分布为2.32（GPC）。马来酸酐与降冰片烯共聚合反应的适宜条件为：二氧六环为溶剂，70℃，n（Al）/n（Fe）＝14，n（CCl_4）／n(Fe)=20,n(M)/n(Fe)＝100，n（MAn）／n（NBE）＝1,12h收率为85.4％；CC14的加入可大幅度提高反应的收率，但分子量却大大降低，虽然共聚物的分子量较小（M_W=2713），但具有较好的溶解性，分子量‘分布为1.31，共聚物中不含CCl_4部分。马来酸酐与异戊二烯共聚合反应的适宜条件为：甲苯与二氧六环的混合溶剂（T／D＝2/5），n（MAn)／n（Ip）＝1，n（Al）／n（Fe）=8，c（M）= 4.1mol／L，c（Fe）＝5.8×l0~(-3) mol／L，20℃，2h，收率78.3％。在该条件下得到的共聚物中马来酸酐的摩尔含量为53.1％（元素分析），并发生部分交联，不溶于有机溶剂中，而采用极性溶剂如二氧六环时，所得共聚物能微溶于四氢吠喃中。综上所述，铁系催化体系催化马来酸酐与烯类单体的共聚合反应可得到产率高、分子量分布较小、具有一定交替度的共聚物。