双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究

研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.

16信道0．35μmCMOS／VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性，将1×16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装（MCM），混合集成为16信道VCSEL光发射功能模块。测试过程中，功能模块的光电特性及其均匀性良好，测量的-3dB频带芝宽度大于2GHz。

MOVPE生长Al（0.35）Ga（0.65）As/GaAs量子阱结构的光致发光

于2010-11-23批量导入

16-channel 0.35 mu m CMOS/VCSEL optoelectronic devices

We report some investigations on vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays and VCSEL based optoelectronic smart photonic multiple chip modules (MCM), consisting of 1 x 16 vertical cavity surface emitting laser array and 16-channel lasers driver 0.35 mum CMOS circuit. The hybrid integrated multiple chip modules based on VCSEL operate at more than 2GHz in -3dB frequency bandwidth.

Summer monsoon intensity controls C-4/C-3 plant abundance during the last 35 ka in the Chinese Loess Plateau: Carbon isotope evidence from bulk organic matter and individual leaf waxes

IEECAS SKLLQG

Isospin diffusion and equilibration for Sn plus Sn collisions at E/A=35 MeV

Equilibration and equilibration rates have been measured by colliding Sn nuclei with different isospin asymmetries at beam energies of E/A = 35 MeV. Using the yields of mirror nuclei of Li-7 and Be-7, we have studied the diffusion of isospin asymmetry by combining data from asymmetric Sn-112 + Sn-124 and Sn-124 + Sn-112 collisions with those from symmetric Sn-112 + Sn-112 and Sn-124 + Sn-124 collisions. We use these measurements to probe isospin equilibration in central collisions where nucleon-nucleon collisions are strongly blocked by the Pauli exclusion principle. The results are consistent with transport theoretical calculations that predict a degree of transparency in these collisions, but inconsistent with the emission of intermediate mass fragments by a single chemically equilibrated source. Comparisons with quantum molecular dynamics calculations are consistent with results obtained at higher incident energies that provide constraints on the density dependence of the symmetry energy.

35 A×MeV 40Ar + 159Tb/197Au 反应中高激发核性质与反应机制研究

中能重离子碰撞的反应机制及其形成的高激发核的性质研究是当前中能重离子核物理研究的重要领域。本文通过对35 MeV/u~(40)Ar+~(159)Tb/~(197)Au反应中出射的轻粒子、中等质量碎片(IMF)和复合核裂变碎片的符合测量，研究了中等质量碎片的发射机制、类靶核的形成机制及其裂变时标、复合核的温度与激发能以及两者之间的关系等。利用前角探测器组的测量对前角区出射的IMF的单举和关联数据进行了分析。由弹核碎裂理论中的Gozdhaber关系式拟合了类弹碎片的能谱，由此提取的弹核的动量分布约化宽度为σ_0 ≈ 100MevV/c。通过Gemini模拟与IMF-IMF关联数据的对比揭示出激发的类弹碎片的裂变是关联IMF的一个重要来源。由IMF与裂变碎片以及IMF与后角轻粒子的关联数据显示出，在前角区域，当IMF的能量低于10 MeV/u时，复合核的蒸发对较轻IMF有较大的贡献；当IMF能量在10-24 MeV/u的区域时，IMF能量与复合核平均速度以及激发能之间存在着很强的依赖关系，说明这些IMF主要来源与弹靶之间的耗散反应；当IMF的能量超过24 MeV/u后，IMF能量与复合核平均速度以及激发能之间没有关联或关联很弱，说明在弹核碎裂的同时，靶核也发生了碎裂，它们共同贡献出部分核子形成了"中速源"或"颈部"。通过对复合核裂变时出射的关联裂片以及后角轻带电粒子的测量，提取了复合核的激发能以及在不同激发能能下所对应的核温度。对于中心碰撞，Au靶形成了E~* = 4MeV/u、T_(init) = 7.1 MeV的热核，Tb靶形成了E~* = 4.7MeV/u、T_(init) = 7.7MeV的热核。对其量热曲线的研究显示出，在当前入射能下没有观测到原子核液气相变的特征。由类弹碎片（PLF)与类靶核两个裂片的关联数据，提取了类靶核裂变轴在反应平面内的转动角度，并由此计算出类靶核的、裂变时标。在对称裂变时，类靶核的寿命约5 * 10~(-20) s，在非对称裂变（η =0.6）时降为约1.7 * 10~(-21) S。同时我们认为类靶核的裂变存在两种机制，即动力学裂变和统计裂变，分别对应于裂变轴在反应平面内的非各相同性分别和各相同性分布。

温度对Ti_(45)Zr_(35)Ni_(20)合金电化学贮氢性能的影响

采用真空熔炼法制备了Ti45Zr35Ni20合金,研究了合金在不同温度下的电化学贮氢性能。结果表明,Ti45Zr35-Ni20电极的电化学性能随着温度而变化,温度从323 K升高到343 K时,电极的活化次数从22次减少到8次,放电容量从86.1 mAh/g增到135.0 mAh/g,快速放电能力也有所提高,然而,高温使电极的循环稳定性显著下降,自放电率增大。